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摘要：本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件，包括：衬底和缓冲层，缓冲层包括隔离槽，缓冲层被隔离槽划分为第一区域和第二区域；在第一区域，缓冲层上设置有第一沟道层、第一势垒层、第一钝化层、第一隔离层和有源层，有源层中设置有漂移区、引出区和源区，漂移区中设置有漏区，引出区和源区的上表面设置有第一源极，漏区的上表面设置有第一漏极，二者之间设置第一栅极；在第二区域，缓冲层上依次设置有第二沟道层、第二势垒层、第二钝化层和第二隔离层，第二隔离层上设置有第二源极和第二漏极，二者之间设置有第二栅极；第一漏极与第二源极通过第一金属互联线电连接，第一源极与第二栅极通过第二金属互联线电连接。本发明能够改善器件性能。
主权项：1.一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层包括隔离槽，沿垂直于所述衬底的方向，所述缓冲层被所述隔离槽划分为第一区域和第二区域；在所述第一区域，所述缓冲层上依次设置有第一沟道层、第一势垒层、第一钝化层、第一隔离层和有源层，所述有源层中上表面设置有漂移区、引出区和源区，所述引出区与所述源区相接排布，所述漂移区与所述源区间隔排布，所述漂移区中上表面设置有漏区，位于所述引出区和所述源区的上表面设置有第一源极，位于所述漏区的上表面设置有第一漏极，在所述第一源极与所述第一漏极之间设置栅介质层，在所述栅介质层上设置第一栅极；在所述第二区域，所述缓冲层上依次设置有第二沟道层、第二势垒层、第二钝化层和第二隔离层，所述第二隔离层上设置有第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极延伸至所述第二势垒层的上表面，所述第二源极与所述第二漏极之间设置有第二栅极，所述第二栅极延伸至所述第二钝化层的上表面；其中，所述第一漏极与所述第二源极通过第一金属互联线电连接，所述第一源极与所述第二栅极通过第二金属互联线电连接。
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