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摘要：本发明涉及半导体人工神经形态器件领域，具体是一种基于横向多孔GaN的光电神经突触器件。本发明旨在解决传统电学突触器件的互连问题，通过光电神经突触器件实现高带宽、低串扰、低功耗的信息传输，为人工神经网络的研究提供创新和优化，同时拓宽GaN材料的应用范围。该器件主要包括横向多孔GaN层、源极、漏极、绝缘层和栅极。横向多孔GaN层通过阳极电化学腐蚀法制得，具有厚度大于100nm的特点。源极和漏极采用两层金属材料，下层与GaN形成肖特基接触，上层为Au。绝缘层用于隔离栅极与横向多孔GaN，材料包括SiO2、TiO2、Ta2O5、Al2O3，厚度在20nm～100nm之间。栅极为CrAu两层金属，厚度分别大于20nm、50nm。
主权项：1.一种基于横向多孔GaN的光电神经突触器件，包括：横向多孔GaN层1，在横向多孔GaN层上中部设置有绝缘层3，在绝缘层4两侧方向上的横向多孔GaN层上的两端分别设置有源极2和漏极3，在绝缘层4上设置有栅极5。
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百度查询： 电子科技大学长三角研究院(衢州) 一种基于横向多孔GaN的光电神经突触器件
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