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摘要：本发明实施例公开了基于六方氮化硼的负光电导光电探测器及其制备方法；制备方法包括步骤：S1、在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上制备金叉指电极；金叉指电极的单根叉指长0.8mm，宽0.1mm，叉指间距为0.1mm；S2、将六方氮化硼分散液旋涂在叉指电极上，得到基于六方氮化硼的负光电导光电探测器。该光电探测器包括聚苯二甲酸乙二醇酯衬底和在聚苯二甲酸乙二醇酯衬底上形成的金叉指电极，金叉指电极上覆盖有六方氮化硼层，具有负光电导效应，在光照条件下材料的电导率下降。基于六方氮化硼的负光电导光电探测器具有宽波段响应能力，同时具有良好的稳定性。
主权项：1.基于六方氮化硼的负光电导光电探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上制备金叉指电极；所述金叉指电极的单根叉指长0.8mm，宽0.1mm，叉指间距为0.1mm；S2、将六方氮化硼分散液旋涂在叉指电极上，得到基于六方氮化硼的负光电导光电探测器。
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百度查询： 郑州大学 基于六方氮化硼的负光电导光电探测器及其制备方法
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