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摘要：本发明提供了一种碳化硅复合衬底及其制造方法。所述制造方法包括：1将两个单晶碳化硅衬底的Si面键合，得到键合组件；2在所述键合组件的两个C面分别注入离子，形成两个弱化层，得到键合体；3在所述键合体的表面上生长多晶碳化硅层，两个弱化层发生断裂，得到两个碳化硅复合衬底和剩余键合组件。本发明仅需一次键合即可制得多个碳化硅复合衬底，整体工序少，效率较高，可缩短制备周期，提高产能，降低能耗和成本。
主权项：1.一种碳化硅复合衬底的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：1将两个单晶碳化硅衬底的Si面键合，得到键合组件；2在所述键合组件的两个C面分别注入离子，形成两个弱化层，得到键合体；3在所述键合体的表面上生长多晶碳化硅层，两个弱化层发生断裂，得到两个碳化硅复合衬底和剩余键合组件。
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百度查询： 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 一种碳化硅复合衬底及其制造方法
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