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摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提供能抑制衬底处理的偏差的技术。将依次进行下述工序的循环进行多次：a将第1处理气体贮留于贮留部的工序；b在a之后，从第1温度的前述贮留部内向衬底供给前述第1处理气体，使前述贮留部的温度为比前述第1温度低的第2温度的工序；和c在前述b之后，使供给了前述第1处理气体后的前述贮留部的温度为与前述第2温度不同的第3温度的工序，其中，使多个前述循环间的前述第3温度相等。
主权项：1.衬底处理方法，其中，将依次进行下述a、b、c的循环进行多次：a将第1处理气体贮留于贮留部的工序；b在a之后，从第1温度的所述贮留部内向衬底供给所述第1处理气体，使所述贮留部的温度为比所述第1温度低的第2温度的工序；和c在b之后，使供给了所述第1处理气体后的所述贮留部的温度为第3温度的工序，其中，使多个所述循环间的所述第3温度在规定的温度范围内。
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百度查询： 株式会社国际电气 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
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