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摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及是一种双向PGaN栅GaN功率器件结构，包括衬底层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和绝缘介质层，其中还包括PGaN层，且PGaN层蚀刻在GaN沟道层的外延上，PGaN层上方设置有由栅极金属构成的栅极层，且栅极层内栅极金属对称设置，PGaN层两侧对称设置有漏极，通过设置对称的分离结构栅极金属，可以保证栅极对沟道的耗尽作用，同时可以增加栅极对沟道的控制能力和提高栅极可靠性。同时，通过特殊设计的栅极结构，可以提高栅极对沟道的控制能力以避免短沟道效应，并且分布式栅极结构可以避免栅极泄漏电流集中效应，从而降低栅极局部失效风险，从而提高器件的栅极可靠性。
主权项：1.一种双向PGaN栅GaN功率器件结构，包括衬底层9、缓冲层10、GaN沟道层11、AlGaN势垒层12和绝缘介质层13，其特征在于，还包括PGaN层，且PGaN层蚀刻在GaN沟道层11的外延上，所述PGaN层上方设置有由栅极金属构成的栅极层，且栅极层内栅极金属对称设置，PGaN层两侧对称设置有漏极，且工作时电流能从一侧漏极流向另一侧漏极。
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