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摘要：本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN双向阻断器件及其制备方法，该器件中MOSFET和HEMT共享AlN缓冲层，AlN缓冲层叠加于SiC衬底之上。MOSFET和HEMT之间设有隔离槽，隔离槽深入至AlN缓冲层的上部，MOSFET的源电极和HEMT的栅电极通过第一金属互联条互连，MOSFET的漏电极和HEMT的源电极通过第二金属互联条互连。HEMT的漏电极深入至该HEMT的沟道层，通过漏电极和沟道层表面二维电子气的直接接触，降低了漏电极肖特基势垒高度，从而降低了器件的开启电压，同时提升了器件的正向和反向击穿电压，提供了一种高性能的增强型SiC衬底GaN双向阻断器件。
主权项：1.一种增强型SiC衬底GaN双向阻断器件，其特征在于，包括：MOSFET和HEMT；所述MOSFET和所述HEMT共享AlN缓冲层；所述AlN缓冲层叠加于SiC衬底之上；所述MOSFET和所述HEMT之间设有隔离槽；所述隔离槽深入至所述AlN缓冲层的上部；所述HEMT的漏电极深入至该HEMT的沟道层中；所述MOSFET的源电极和所述HEMT的栅电极通过第一金属互联条互连；所述MOSFET的漏电极和所述HEMT的源电极通过第二金属互联条互连。
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