龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开了一种单片集成GaNCMOS反相器及其制备方法，该反相器包括T型FIN结构p‑FET和HEMT。T型FIN结构p‑FET和HEMT共享缓冲层；缓冲层叠加于衬底之上；T型FIN结构p‑FET和HEMT之间设有的隔离槽深入至缓冲层的上部；T型FIN结构p‑FET的栅电极和HEMT的栅电极通过第一金属互联条连接；T型FIN结构p‑FET的漏电极和HEMT的漏电极通过第二金属互联条连接。通过T型FIN结构p‑FET的源漏沟道设有的多个T型FIN结构可以增强栅级可控性和电流驱动能力，降低器件功耗。通过调节T型FIN结构的FIN宽，可以形成增强型器件，还可以调控阈值电压进而改善反相器的性能。
主权项：1.一种单片集成GaNCMOS反相器，其特征在于，所述单片集成GaNCMOS反相器包括：T型FIN结构p-FET和HEMT；所述T型FIN结构p-FET和所述HEMT共享缓冲层；所述缓冲层叠加于衬底之上；所述T型FIN结构p-FET和所述HEMT之间设有隔离槽；所述隔离槽深入至所述缓冲层的上部；所述T型FIN结构p-FET的源漏沟道设有多个T型FIN结构；所述T型FIN结构p-FET的栅电极和所述HEMT的栅电极通过第一金属互联条连接；所述T型FIN结构p-FET的漏电极和所述HEMT的漏电极通过第二金属互联条连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学广州研究院 一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号