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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要：本发明公开一种嵌入式高低压兼容CMOS总剂量加固方法，属于微电子集成电路领域。本发明采用STI注入法、高压MOS器件叠栅氧工艺法、低压MOS器件叠栅氧工艺法和有源区截止法进行高低压MOS器件总剂量加固，采用隧道氧化层加固工艺方法、多晶硅间介质层加固工艺方法进行浮栅型FLASH器件总剂量加固，达到减少热过程、增加场区表面P型杂质浓度、抑制阈值电压漂移、减少器件间和器件内部漏电的目的，实现嵌入式浮栅型FLASH工艺器件总剂量加固。

主权项：1.一种嵌入式高低压兼容CMOS总剂量加固方法，其特征在于，包括高低压MOS器件加固方法和浮栅型FLASH器件加固方法；其中，所述高低压MOS器件加固方法包括STI注入法、高压MOS器件叠栅氧工艺法、低压MOS器件叠栅氧工艺法和有源区截止法；所述浮栅型FLASH器件加固方法包括隧道氧化层加固工艺法和多晶硅间介质层加工工艺法；所述嵌入式高低压兼容CMOS总剂量加固方法具体包括：提供P型硅衬底，刻蚀所述P型硅衬底在其上形成若干隔离槽；采用STI注入法进行总剂量加固；采用高密度等离子体沉积氧化硅，直至填满隔离槽形成隔离体；在P型硅衬底上进行N型和P型离子注入，形成深高压N阱和高压P阱，其中浮栅型FLASH器件、高压pMOS器件位于深高压N阱，高压nMOS器件位于高压P阱；进行高压MOS器件叠栅氧工艺法：在深高压N阱和高压P阱表面形成高压MOS管氧化层；去除深高压N阱中浮栅型FLASH器件区域高压MOS管氧化层，采用低温热氧化掺N工艺法生长一层隧道氧化层；在高压MOS管氧化层上制备多晶硅层；在P型硅衬底上进行N型和P型离子注入，形成低压N型阱和低压P型阱；在所述多晶硅层上方形成ONO介质层，进行低压MOS器件叠栅氧工艺法：在低压N型阱和低压P型阱上形成IOMOS管氧化层；采用刻蚀工艺去除低压内核MOS管表面IOMOS管氧化层，再采用低温湿氧化工艺和掺N工艺形成低压内核MOS管氧化层；形成低压内核MOS管氧化层后，对高低压MOS器件采用有源区截止法进行总剂量加固；在ONO介质层上制备控制栅多晶硅，在IOMOS管氧化层上制备逻辑栅多晶硅；通过P型或N型离子注入，在高低压MOS器件和浮栅型FLASH器件中形成轻掺杂区和重掺杂区；在栅极上淀积一层氧化物或氮化物，通过各向异性刻蚀在高低压MOS器件和浮栅型FLASH器件栅极两边形成侧墙；通过栅光刻腐蚀工艺实现高压MOS管栅互联引出，并采用金属salicide工艺在重掺杂区和栅极顶部多晶硅上方，形成金属硅化物；通过化学气相沉积形成一层硼磷化硅玻璃，定位出第一层金属连接口的位置，通过腐蚀形成通孔；采用化学气相沉积形成一层Ti，在腐蚀多余区域的金属后形成第一层金属连接层。

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