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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要：本发明公开了一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路，属于集成电路、电路抗辐射加固技术领域。该电路包括上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络，其中，上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络共用输入端，上拉网络的电源端口和衬底的电压由源衬电压设置网路提供，下拉网路的接地端口和衬底的电压同样由源衬电压设置网络提供，上拉网络和下拉网络相连形成输出端口。本发明不仅能够完成普通CMOS集成电路的逻辑功能，还具备高性能的抗单粒子效应的性能。
主权项：1.一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路，包括上拉网络和下拉网络；其特征在于：还包括用于设置上拉网络和下拉网络中晶体管的源极和衬底电压的源衬电压设置网络；上拉网络的电源端口和衬底电压端口，以及下拉网络的接地端口和衬底电压端口均连接至源衬电压设置网络的输出端，所述上拉网络和下拉网络相连，且连接点作为整个加固电路的输出端，所述源衬电压设置网络、上拉网络和下拉网络的输入端相连，作为整个加固电路的输入端；所述源衬电压设置网络的输出电压与整个加固电路输出端的电压相同；所述源衬电压设置网络由上下两部分组成，其中，上部分的结构与所述上拉网络相同，下部分的结构与所述下拉网络相同，或者，上部分的结构为将所述上拉网络中的PMOS器件依据尺寸进行拆分或合并所得的电路，下部分的结构为将所述下拉网络中的NMOS器件依据尺寸进行拆分或合并所得的电路；上下两部分相连，连接处形成源衬电压设置网络的输出端，同时，上下两部分共用输入端，连接至整个加固电路的输入端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路
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