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申请/专利权人：深圳市至信微电子有限公司
摘要：本申请公开了一种DP场效应管制备方法及DP场效应管。DP场效应管制备方法包括：对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；在所述槽栅的两侧注入P型杂质以形成P阱层；通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；其中，所述P阱层包覆所述槽栅的拐角且所述槽栅两侧的所述P阱层不连通；在所述槽栅的两侧注入N型杂质以形成N型源区。本申请实施例的DP场效应管制备方法，至少具有如下有益效果：通过制备比槽栅更深的P阱层，同时使P阱层包覆槽栅的拐角且槽栅两侧的P阱层不连通，形成DP结构，提高栅氧化层的可靠性和场效应管的抗短路能力。
主权项：1.DP场效应管制备方法，其特征在于，包括：对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；所述对外延片进行刻蚀，以形成槽栅的步骤，具体包括：在所述外延片上设置保护层；对所述保护层进行蚀刻，以形成沟槽窗口；在所述沟槽窗口的位置蚀刻所述外延片以形成沟槽；在所述外延片上分别沉积栅氧化层和填充层；对所述沟槽之外的栅氧化层和填充层进行蚀刻以形成所述槽栅；其中，所述栅氧化层的材料包括二氧化硅、氮氧化硅；所述栅氧化层的厚度和所述沟槽的长度以相同比例下降，以抑制短沟道效应；在所述槽栅的两侧注入P型杂质以形成P阱层；通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；所述通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度的步骤，具体包括：对炉管以预设的初始温度升温；将所述外延片放置于已升温的炉管内；以预设升温速率使所述炉管升温至第一温度，并以第一流量速率通入氧气；所述第一温度高于所述初始温度；根据预设维持时长对所述炉管内的温度进行维持，并以第二流量速率通入氧气；所述第二流量速率小于所述第一流量速率；以预设降温速率使所述炉管降温，并保持以所述第二流量速率通入氧气；当所述炉管的温度降至所述初始温度时，停止通入氧气，取出所述外延片；其中，所述P阱层包覆所述槽栅的拐角且所述槽栅两侧的所述P阱层不连通；在所述槽栅的两侧注入N型杂质以形成N型源区。
全文数据：
权利要求：
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