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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法，在场效应晶体管的制造方法中，先刻蚀第一栅极结构两侧的输入输出器件区，以形成第一源漏沟槽，然后刻蚀第二栅极结构两侧的核心器件区，以形成第二源漏沟槽，由此可以分别对第一源漏沟槽和第二源漏沟槽的关键尺寸进行控制，即可以控制第一源漏沟槽的轮廓和第二源漏沟槽的轮廓，使第一源漏沟槽的关键尺寸大于第二源漏沟槽的关键尺寸，可以使最大电场远离输入输出器件区的沟道，由此减少沟道附近的电场强度，从而提高所形成的器件的可靠性。并且，可满足核心器件区和输入输出器件区的不同工作电压的需求，从而有利于提高器件的整体性能和可靠性。
主权项：1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括输入输出器件区和核心器件区，所述输入输出器件区上形成有第一栅极结构，所述核心器件区上形成有第二栅极结构；刻蚀所述第一栅极结构两侧的所述输入输出器件区，以形成第一源漏沟槽；刻蚀所述第二栅极结构两侧的所述核心器件区，以形成第二源漏沟槽，其中，所述第一源漏沟槽的关键尺寸大于所述第二源漏沟槽的关键尺寸；依次形成第一外延层、第二外延层和硅帽层，所述第一外延层覆盖所述第一源漏沟槽和所述第二源漏沟槽的内表面，所述第二外延层覆盖所述第一外延层并填满所述第一源漏沟槽和所述第二源漏沟槽，所述硅帽层覆盖所述第二外延层，其中，所述第一源漏沟槽中的所述第一外延层、所述第二外延层和所述硅帽层构成第一源漏区，所述第二源漏沟槽中的所述第一外延层、所述第二外延层和所述硅帽层构成第二源漏区。
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百度查询： 杭州积海半导体有限公司 场效应晶体管及其制造方法
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