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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器的抗辐射加固装置和方法，所述装置包括刷新重构芯片、FPGA和CMOS图像传感器；FPGA接收外部指令，并对CMOS图像传感器的内部寄存器进行配置；FPGA对CMOS图像传感器的内部寄存器进行回读检测；刷新重构芯片对FPGA进行回读检测；当检测到CMOS图像传感器发生单粒子翻转时，如果FPGA未发生单粒子翻转，则FPGA对CMOS图像传感器进行重新配置；如果FPGA发生单粒子翻转，则刷新重构芯片先对FPGA进行重载操作，然后FPGA再对CMOS图像传感器进行重新配置。本发明的抗辐射加固装置在CMOS图像传感器发生单粒子翻转时无需断电重启即可实现自动检测和校正，能够有效提高CMOS图像传感器的工作效率和适用性。
主权项：1.一种CMOS图像传感器的抗辐射加固装置，其特征在于，包括：刷新重构芯片、FPGA和CMOS图像传感器；所述FPGA接收外部指令，进行指令解析，并根据解析出的工作参数对所述CMOS图像传感器的内部寄存器进行配置；所述FPGA对所述CMOS图像传感器的内部寄存器进行回读，并检测所述CMOS图像传感器是否发生单粒子翻转；所述刷新重构芯片对所述FPGA进行回读，并检测所述FPGA是否发生单粒子翻转；当检测到所述CMOS图像传感器发生单粒子翻转时，如果所述FPGA未发生单粒子翻转，则所述FPGA对所述CMOS图像传感器进行重新配置；如果所述FPGA发生单粒子翻转，则所述刷新重构芯片先对所述FPGA进行重载操作，然后所述FPGA再对所述CMOS图像传感器进行重新配置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 CMOS图像传感器的抗辐射加固装置和方法
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