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摘要：本发明涉及制造背照式BSICMOS光学传感器的方法，并且更具体地涉及在背照式BSICMOS光学传感器中降低串扰和增强光子检测效率PDE的方法。特别地，要求保护的方法包括以下步骤：在所述BSICMOS光学传感器的像素阵列的相邻感测元件之间形成隔离结构，从而将所有的相邻感测元件彼此隔离；以及形成施加至所述像素阵列的所有感测元件的共用电压背侧施加结构，从而将所有的感测元件连接至共用偏压。
主权项：1.一种对背照式CMOS光学传感器进行制造的方法，所述背照式CMOS光学传感器具有减少的串扰和增大的光子检测效率，所述方法包括以下操作：提供半导体晶片，所述半导体晶片具有半导体基板401、面向彼此的第一表面401a和第二表面401b；执行标准CMOS前侧制造处理，所述标准CMOS前侧制造处理包括下述步骤：在所述半导体基板中于所述第一表面与所述第二表面之间形成至少第一感测元件402a和第二感测元件402b，在所述半导体基板的第一表面上形成至少一个绝缘层406，形成至少第一互连层407和至少一个金属接触部408，所述至少第一互连层和所述至少一个金属接触部被嵌置在所述至少一个绝缘层中；提供载体半导体基板409，并将所述载体半导体基板附接至所述至少一个绝缘层；通过从所述半导体基板的第二表面401b移除材料来将所述半导体晶片减薄；在所述半导体基板中围绕至少所述第一感测元件和所述第二感测元件形成背侧式的深沟槽隔离结构405，所述深沟槽隔离结构从被减薄的所述第二表面延伸；使用第一绝缘材料405a并使用第二传导材料405b对所述深沟槽隔离结构进行填充，所述第一绝缘材料405a将所述深沟槽隔离结构的侧壁和底部覆盖，所述第二传导材料405b将所述深沟槽隔离结构的内部填充；从被减薄的所述第二表面对所述半导体晶片进行平面化，从而将至少所述第一感测元件和所述第二感测元件的区域中的所述半导体基板401暴露，至少所述第一感测元件和所述第二感测元件被所述深沟槽隔离结构围绕；从被减薄的所述第二表面形成与所述深沟槽隔离结构和至少所述第一感测元件和所述第二感测元件中的所述半导体基板接触的共用电压施加结构。
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百度查询： 拉芳德利责任有限公司 对背照式CMOS光学传感器进行制造的方法
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