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摘要：本实用新型涉及功率半导体技术，具体涉及一种具有双层场板的双沟槽SGT器件。相比于传统SGT，本实用新型所提供的SGT结构具有双层场板结构，由于第二场板对应的绝缘介质更薄，反向耐压时第二场板对应深度处的纵向电场得以抬升，整体电场形状更接近矩形，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，第一场板包含两种不同掺杂的多晶硅，所形成的多晶硅PN结引入了多晶硅PN结耗尽区电容，与器件原有的输出电容串联，整体输出电容减小。

主权项：1.一种具有双层场板的双沟槽SGT器件，其特征在于：包括N型衬底1、N型外延层2、屏蔽栅沟槽、控制栅沟槽、体区9和底层金属14；其中，所述N型外延层2位于N型衬底1的上表面；所述屏蔽栅沟槽、控制栅沟槽分别位于N型外延层2的左上表面和右上表面；所述屏蔽栅沟槽填充屏蔽栅绝缘介质3，内部有第一场板和第二场板；所述第一场板由P型多晶硅5和轻掺杂N型多晶硅4构成；所述P型多晶硅5在所述轻掺杂N型多晶硅4的上方，P型多晶硅5和轻掺杂N型多晶硅4相互接触、上下相连；所述第二场板是N型多晶硅6；所述第二场板在第一场板的右侧，第二场板和第一场板通过绝缘介质相隔离；所述控制栅沟槽填充控制栅绝缘介质7，控制栅绝缘介质7内部有N型掺杂的控制栅多晶硅8；所述屏蔽栅绝缘介质3所在的沟槽槽深大于控制栅绝缘介质7所在的沟槽槽深；所述屏蔽栅沟槽、控制栅沟槽分立于体区9的两侧；所述体区9的上表面有P型掺杂的欧姆接触区11、N型掺杂的源区10；所述P型掺杂的欧姆接触区11在N型掺杂的源区10的左侧，P型掺杂的欧姆接触区11与屏蔽栅沟槽侧面接触，N型掺杂的源区10与控制栅绝缘介质7侧面接触；所述P型掺杂的欧姆接触区11的表面低于N型掺杂的源区10的表面；所述P型多晶硅5、N型多晶硅6、P型掺杂的欧姆接触区11、N型掺杂的源区10通过顶层金属13直接接触相连，器件表面除了P型多晶硅5、N型多晶硅6、P型掺杂的欧姆接触区11、N型掺杂的源区10的其余部分通过表面绝缘介质层12与顶层金属13相隔离；所述底层金属14在器件的下表面。

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