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摘要：本申请公开了一种具有双沟道的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件主要包括：衬底层；缓冲层；P型氮化镓背势垒层，其通过在缓冲层中刻蚀形成第一沟槽，并在所述第一沟槽中淀积氮化镓，以及在氮化镓的淀积后再次淀积缓冲层的材料，使得第一沟槽与所述衬底层表面平齐，从而形成P型氮化镓背势垒，或者通过在缓冲层之上的预定区域上淀积预定厚度的氮化镓形成P型氮化镓背势垒；第一沟道层；第一势垒层；第二沟道层；第二势垒层；钝化层；源极；栅极；漏极。本申请更易得到高耐压的增强型HEMT器件。
主权项：1.一种具有双沟道的增强型氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：衬底层；缓冲层，其通过在所述衬底层之上淀积形成；P型氮化镓背势垒层，其通过在所述缓冲层中刻蚀形成第一沟槽，并在所述第一沟槽中淀积氮化镓，以及在氮化镓的淀积后再次淀积所述缓冲层的材料，使得所述第一沟槽与所述缓冲层表面平齐，从而形成P型氮化镓背势垒，或者通过在所述缓冲层之上的预定区域上淀积预定厚度的氮化镓形成P型氮化镓背势垒；第一沟道层，其通过在所述缓冲层或者在所述缓冲层和P型氮化镓背势垒层之上淀积形成；第一势垒层，其通过在所述第一沟道层之上淀积形成；第二沟道层，其通过在所述第一势垒层之上淀积形成；第二势垒层，其通过在所述第二沟道层之上淀积形成；钝化层，其通过在所述第二势垒层之上淀积形成；源极，其通过在场板边缘刻蚀所述缓冲层、所述第一沟道层、所述第一势垒层、所述第二沟道层和所述第二势垒层形成第二沟槽，并在所述第二沟槽中淀积源极材料形成；栅极，其通过刻蚀所述第二沟道层和所述第二势垒层形成第三沟槽，并在所述第三沟槽中淀积栅极材料形成；漏极，其通过在场板另一边缘刻蚀所述缓冲层、所述第一沟道层、所述第一势垒层、所述第二沟道层、所述第二势垒层和部分所述缓冲层形成第四沟槽，并在所述第四沟槽中淀积漏极材料形成。
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权利要求：
百度查询： 北京中科重仪半导体科技有限公司 一种具有双沟道的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法
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