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摘要：本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的方法，属于晶体生长领域。本发明将氧化镓原料和导模模具加热，使所述氧化镓原料熔化，得到熔体和预热模具；通过毛细原理将所述熔体吸入所述预热模具表面，形成熔体层；下籽晶，使所述籽晶和所述熔体层接触，然后保持稳定状态；对所述籽晶进行旋转，生长出圆形肩部，当所述圆形肩部的直径达到所述导模模具宽度的50％～80％时，使所述籽晶恢复到初始角度，停止旋转；进行放肩生长，当晶体生长至所述导模模具的外延，按模具形状拉出晶体。本发明对所述籽晶进行旋转，使籽晶下方首先形成一个近似的圆形区域，圆弧处的机械强度高于直边，应力集中现象也大幅减少，从而能有效避免在籽晶下方产生出孪晶或开裂。
主权项：1.一种导模法生长氧化镓晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：将氧化镓原料和导模模具加热，使所述氧化镓原料熔化，得到熔体和预热模具；通过毛细原理将所述熔体吸入所述预热模具表面，形成熔体层；下籽晶，使所述籽晶和所述熔体层接触，然后保持稳定状态，所述稳定状态是指所述籽晶既不熔化，也不向外生长；对所述籽晶进行旋转，生长出圆形肩部，当所述圆形肩部的直径达到所述导模模具宽度的50％～80％时，使所述籽晶恢复到初始角度，停止旋转；进行放肩生长，当晶体生长至所述导模模具的外延，按模具形状拉出晶体。
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权利要求：
百度查询： 杭州镓仁半导体有限公司 一种导模法生长氧化镓晶体的方法
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