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摘要：本发明提供了一种外延生长设备重启方法，属于半导体制造技术领域。外延生长设备重启方法，包括：将氢气注入设置在所述外延生长设备内的反应腔中并吹扫氢气预定时间；将晶圆片放置在所述反应腔内部的基座上；在第一温度下向所述反应腔内通入刻蚀气体，流量为15SLM～20SLM，持续时间为30～40s；在第二温度下向所述反应腔内通入硅源气体，流量为20SLM～30SLM，持续时间为40～60s；在生长外延晶片之后测量所述外延晶片的少数载流子MCLT，当MCLT达到预定值时，完成外延生长设备的重启。本发明的技术方案能够提高外延晶片的生产率。
主权项：1.一种外延生长设备重启方法，其特征在于，包括：将氢气注入设置在所述外延生长设备内的反应腔中并吹扫氢气预定时间；将晶圆片放置在所述反应腔内部的基座上；在第一温度下向所述反应腔内通入刻蚀气体，流量为15SLM～20SLM，持续时间为30～40s，对所述反应腔中的基座进行刻蚀，去除所述基座上的湿气、污染物、金属物质和各种残留物；在第二温度下向所述反应腔内通入硅源气体，流量为20SLM～30SLM，持续时间为40～60s，在所述基座上形成硅膜；在生长外延晶片之后测量所述外延晶片的少数载流子MCLT，当MCLT达到预定值时，完成外延生长设备的重启。
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百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司 外延生长设备重启方法
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