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申请/专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日：2024-08-27
公开（公告）日：2024-11-22
公开（公告）号：CN118996627A
专利技术分类：..氧化物[2006.01]
专利摘要：本发明涉及氧化镓单晶生长技术领域，尤其涉及一种导模法生长氧化镓单晶的上热场结构与生长装置。本发明的导模法生长氧化镓单晶的上热场结构，通过在第一盖板上方设置第二盖板，密封件和第一保温层采用间隔设置，且密封件和第一保温层的间距在2mm～10mm之间，使得分解的气相产物在第一盖板和第二盖板之间水平流下，并沿着密封件和第一保温层之间的通道下沉，然后从观察窗回到氧化镓熔体上方，这样分解的气相产物Ga2O和O2在热场结构内循环流动，且尽可能地避免了气相产物向外溢出，从而在氧化镓熔体上方维持稳定的高浓度富集气相产物，进而有效的抑制氧化镓熔体分解挥发，提高了氧化镓单晶生长稳定性。
专利权项：1.一种导模法生长氧化镓单晶的上热场装置，其特征在于，所述上热场装置包括：密封件6、第二盖板7、第一保温层1、第一盖板4、所述密封件6呈上、下端开口，四周密闭状态，密封件6上部设置有第二盖板7，以密封所述密封件6上端开口，所述第二盖板7中心位置设置有第三中心通孔8；所述密封件6四周密闭空间内，设置有第一保温层1和第一盖板4；所述第一保温层1呈上、下端开口，四周密闭状态，所述第一保温层4的中心轴上设置有第一中心通孔2，第一保温层1上部设置有第一盖板4，以覆盖所述保温层1上端开口，所述第一盖板4中心位置设置有第二中心通孔5；所述第一保温层1侧面对称设置有第一倒流通孔31、第二倒流通孔32；所述密封件6和所述第一保温层1间隔设置；所述第二盖板4和所述第一盖板7间隔设置，所述第一保温层1、第一盖板4、第二盖板7和密封件6呈轴对称设置。
百度查询： 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种导模法生长氧化镓单晶的上热场结构与生长装置
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