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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日：2020-09-28
公开（公告）日：2020-12-29
公开（公告）号：CN112144106A
专利技术分类：..被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种单晶生长设备及单晶生长方法。设备包括炉体、坩埚、加热器及导流组件，导流组件包括导流筒及导流筒提拉装置，坩埚、加热器及导流筒均位于炉体内；坩埚用于承载熔融硅；加热器位于坩埚的外围，用于对坩埚进行加热；导流筒与导流筒提拉装置相连接，并自坩埚的外侧延伸到熔融硅的上方；导流筒提拉装置包括控制器，导流筒在控制器的控制下上下移动，以改变所述导流筒与所述熔融硅液面的间距。本发明无需改变晶体提拉速度和坩埚上升速度，因而不会改变液面和热场的相对位置，有利于稳定单晶生长调节，有利于生长出高品质的单晶，且调整操作简单，调整精度高。
专利权项：1.一种单晶生长设备，其特征在于，包括：炉体；坩埚，设置于所述炉体内，用于承载熔融硅；加热器，设置于所述炉体内，且位于所述坩埚的外围，用于对所述坩埚进行加热；导流组件，包含导流筒及导流筒提拉装置；其中，所述导流筒设置于所述炉体内，与所述导流筒提拉装置连接，所述导流筒自所述坩埚的外侧延伸到所述熔融硅的上方；所述导流筒提拉装置包含控制器，所述导流筒在所述控制器的控制下上下移动，以改变所述导流筒与所述熔融硅液面的间距。
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 单晶生长设备及生长方法
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