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摘要：本发明公开了一种带有N型埋层的氮化镓电子器件，其结构包括：衬底、过渡层、缓冲层、N型埋层、第二缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层、钝化层、源极金属、漏极金属、栅极金属；本发明通过在缓冲层中引入N型掺杂的埋层，减缓了外界粒子、电荷等进入器件内部造成的漏极附近电场强度升高，有效地增加了器件的抗单粒子烧毁能力，同时也能缓解在其它应力条件下漏极附近电场强度升高，适用于电力电子系统特别是空间电力电子系统的应用场合。
主权项：1.一种带有N型埋层的氮化镓电子器件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底01、过渡层02、第一缓冲层03、N型埋层09、第二缓冲层13、沟道层04、势垒层05；器件上表面两端分别具有源极金属10和漏极金属11，源极金属10和漏极金属11沿器件垂直方向贯穿势垒层05并延伸入沟道层04中；在势垒层05上表面具有由p-GaN层06和栅极金属12构成的栅极结构，栅极金属12位于p-GaN层06上表面；在源极金属10和栅极结构之间的势垒层05上表面具有栅源侧钝化层07，在漏极金属11和栅极结构之间的势垒层05上表面具有栅漏侧钝化层08，栅漏侧钝化层08的横向宽度大于栅源侧钝化层07的横向宽度；所述N型埋层09为N型掺杂的氮化镓、铝镓氮或者氮化铝的一种或者多种的组合，掺杂杂质为Si或者Ge，杂质分布为均匀掺杂或者非均匀掺杂，掺杂浓度为1×1015～1×1021cm-3，厚度为0.1～3um。
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百度查询： 电子科技大学 一种带有N型埋层的氮化镓电子器件
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