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摘要：提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件以及品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法。氮化物半导体发光元件1具有：n‑AlInN层12，成分中含有Al以及In；GaN帽层13，层叠于n‑AlInN层12的表面，成分中含有Ga；以及n‑AlGaN成分渐变层14，层叠于GaN帽层13的表面，成分中含有Al以及Ga；在GaN帽层13的表面层叠的n‑AlGaN成分渐变层14的界面处的AlN的摩尔分数为0.36以上且0.44以下。
主权项：1.一种氮化物半导体发光元件，其中，具有：第一层，成分中含有Al以及In，帽层，层叠于所述第一层的表面，成分中含有Ga，以及第二层，层叠于所述帽层的表面，成分中含有Al以及Ga；在所述帽层的表面层叠的所述第二层的界面处的AlN的摩尔分数为0.36以上且0.44以下。
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百度查询： 学校法人名城大学 斯坦雷电气株式会社 氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法
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