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一种GaN HEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构及其制造工艺 

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摘要:本发明提供了一种GaNHEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构及其制造工艺;包括陶瓷板,陶瓷板上端面一端设有芯片焊板和辅助接口另一端设有两个电极柱;陶瓷板的下端面设有:分别与两个电极柱连接的G极电极和E极电极,与芯片焊板连接的S极电极,将辅助接口覆盖的辅助电极;陶瓷板的上端面边缘设有封口环。本发明通过一体的电极与陶瓷板上的器件连接,保证了电极的导电性能,并且设置了辅助电极来降低寄生电感,提高开关速度,减少开关损耗,改善热管理。

主权项:1.一种GaNHEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构,其特征在于:包括陶瓷板2,陶瓷板2上端面一端设有芯片焊板5和辅助接口3另一端设有两个电极柱4;陶瓷板2的下端面设有:分别与两个电极柱4连接的G极电极6和E极电极7,与芯片焊板5连接的S极电极8,将辅助接口3覆盖的辅助电极9;陶瓷板2的上端面边缘设有封口环1。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种GaN HEMT器件的SMD金属陶瓷管座结构及其制造工艺

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