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摘要:本公开实施例涉及陶瓷电路板技术领域,提供了一种陶瓷金属围坝器件及其制备方法、LED密封腔体,制备方法包括:将碳化硅颗粒与铝液制备成铝碳化硅复合板;在氮化铝陶瓷板表面蒸镀硅层;将铝碳化硅复合板烧结在硅层上;对铝碳化硅复合板背离硅层的一面进行图形化处理,得到陶瓷金属围坝器件。本公开实施例采用金属铝制备金属围坝,保证了围坝的热导率;解决了铝与陶瓷的低温焊接问题;调整了金属围坝的成分,在金属围坝中添加了碳化硅,从而降低了金属围坝的热膨胀系数,保障了器件在高温应用场景下的稳定性。
主权项:1.一种陶瓷金属围坝器件制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:将碳化硅颗粒与铝液制备成铝碳化硅复合板;在氮化铝陶瓷板表面蒸镀硅层;将所述铝碳化硅复合板烧结在所述硅层上;对所述铝碳化硅复合板背离所述硅层的一面进行图形化处理,得到陶瓷金属围坝器件。
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