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摘要:一种全彩LED结构、全彩LED结构单元1、2、3、4及其制作方法,通过控制第一半导体层11内的第一凹槽110的底壁110a、侧壁110b或者第一半导体层11的顶壁11c的表面尺寸不同实现其上与之对应的发光层12的第一子区12a、第二子区12b与第三子区12c的发光波长不同。工艺简单,且能在一次发光层12外延生长工序中形成全彩LED结构单元1、2、3、4,减小了全彩LED的尺寸、降低了成本、延长了寿命、提高了可靠性。
主权项:1.一种全彩LED结构单元,其特征在于,包括:第一半导体层11,内设一第一凹槽110;发光层12,包括第一子区12a、第二子区12b与第三子区12c;所述第一子区12a覆盖于所述第一凹槽110的底壁110a,所述第二子区12b覆盖于所述第一凹槽110的侧壁110b,所述第三子区12c覆盖于所述第一半导体层11的顶壁11c;第二半导体层13,覆盖于所述发光层12,所述第二半导体层13与所述第一半导体层11的导电类型相反;所述第一半导体层11、所述发光层12以及所述第二半导体层13的材料都为Ⅲ-Ⅴ族化合物;其中,通过控制所述第一凹槽110的底壁110a、侧壁110b或者所述第一半导体层11的顶壁11c的表面尺寸不同实现所述第一子区12a、所述第二子区12b与所述第三子区12c的发光波长不同。
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百度查询: 苏州晶湛半导体有限公司 全彩LED结构、全彩LED结构单元及其制作方法
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