买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
摘要:本申请提供了一种坩埚及其制备方法,涉及坩埚制备技术领域,其中坩埚包括碳碳陶瓷基底和复合涂层;复合涂层包括依次层叠的碳化硅层、缓冲层、子复合层和氮化硅层;子复合层包括氮化硅和二氧化硅。坩埚的制备方法,包括:制备碳碳陶瓷基底;采用化学气相沉积法在碳碳陶瓷基底内表面沉积碳化硅层;在碳化硅层的一侧制备缓冲层;在缓冲层的一侧制备子复合层;采用化学气相沉积法在子复合层的一侧沉积氮化硅层。本申请设置复合涂层,复合涂层化学性能稳定、导热系数高、耐磨性能较好,防渗透能力好,同时复合涂层的结合力较高,复合涂层有利于提高坩埚的强度、耐磨性能和防渗透能力,使坩埚能够作为直接盛放硅溶液的容器代替石英坩埚。
主权项:1.一种坩埚,其特征在于,包括碳碳陶瓷基底和复合涂层,所述复合涂层位于所述碳碳陶瓷基底的内表面;所述复合涂层包括碳化硅层、缓冲层、子复合层和氮化硅层,所述碳化硅层位于所述碳碳陶瓷基底的内表面,所述子复合层位于所述碳化硅层背离所述碳碳陶瓷基底的一侧,所述缓冲层位于所述碳化硅层和所述子复合层之间,所述氮化硅层位于所述子复合层背离所述碳碳陶瓷基底的一侧;所述子复合层包括氮化硅和二氧化硅。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 晶科能源股份有限公司 坩埚及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。