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摘要：本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件的制备方法包括以下步骤：提供一半导体结构，半导体结构包括叠层结构、源漏极、帽层及与帽层电连接的栅极，叠层结构包括层叠的沟道层、势垒层及层间介质层，源极贯穿层间介质层并与势垒层电连接，漏极贯穿层间介质层并与势垒层电连接，帽层位于源极与漏极之间的势垒层的上表面，层间介质层覆盖帽层，栅极贯穿帽层上方的层间介质层；自沟道层背离层间介质层的一面向叠层结构进行离子注入以形成位于势垒层及沟道层中的隔离层，隔离层位于源极与漏极之间区域的外围。本发明通过自叠层结构的背面注入形成隔离层的离子，降低了工艺难度，避免了层间介质层的损伤，提升了器件的性能。
主权项：1.一种HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括叠层结构、源极、漏极、帽层及与所述帽层电连接的栅极，所述叠层结构至少包括依次层叠的沟道层、势垒层及层间介质层，所述源极贯穿所述层间介质层并与所述势垒层电连接，所述漏极贯穿所述层间介质层并与所述势垒层电连接，所述帽层位于所述源极与所述漏极之间的所述势垒层的上表面，所述层间介质层覆盖所述帽层，所述栅极贯穿所述帽层上方的所述层间介质层；自所述沟道层背离所述层间介质层的一面向所述叠层结构进行离子注入以形成位于所述势垒层及所述沟道层中的隔离层，所述隔离层位于所述源极与所述漏极之间区域的外围。
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百度查询： 上海新微半导体有限公司 HEMT器件及其制备方法
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