龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
摘要：本发明公开一种GaN单晶衬底的HEMT外延结构，包括GaN单晶衬底以及依次生长于所述GaN单晶衬底上的GaN缓冲层、低温应力调控层、GaN高阻层、AlyGa1‑yN背势垒层、GaN沟道层、AlzGa1‑zN势垒层以及GaN帽层，所述低温应力调控层为InxGa1‑xN固溶体薄膜层或InNGaN超晶格层，其中，0≤x≤0.1，0.05≤y≤0.15，0.2≤z≤0.3。本发明通过在GaN缓冲层上设置低温应力调控层来调控外延生长过程中，特别是AlzGa1‑zN势垒层生长时的翘曲度，以获得更优异的厚度和组分均匀性的HEMT外延结构，特别是大尺寸的HEMT外延结构以使得HEMT器件一致性好。
主权项：1.一种GaN单晶衬底的HEMT外延结构，其特征在于，包括GaN单晶衬底以及依次生长于所述GaN单晶衬底上的GaN缓冲层、低温应力调控层、GaN高阻层、AlyGa1-yN背势垒层、GaN沟道层、AlzGa1-zN势垒层以及GaN帽层，所述低温应力调控层为InxGa1-xN固溶体薄膜层和或InNGaN超晶格层，其中，0≤x≤0.1，0.05≤y≤0.15，0.2≤z≤0.3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东莞市中镓半导体科技有限公司 GaN单晶衬底的HEMT外延结构和外延方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号