龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法，外延片包括依次层叠设置的基底、复合硅铝氮缓冲层以及外延层，复合硅铝氮缓冲层自基底表面向外包括：周期性设置的SiN图形结构层和扩散层；扩散层包括层叠设置的铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层；铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层的界面处形成非均匀相互扩散区，非均匀相互扩散区包括SiN扩散微结构与AlN扩散微结构。本发明提供的外延片能够降低外延片内部应力，提高外延层的晶体质量，改善光电器件性能，提高光电产品良率，节约生产成本。
主权项：1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括依次层叠设置的基底、复合硅铝氮缓冲层以及外延层，所述复合硅铝氮缓冲层自所述基底表面向外包括：周期性设置的SiN图形结构层和扩散层；所述扩散层包括层叠设置的铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层；所述铝硅氮扩散层和所述硅铝氮扩散层的界面处形成非均匀相互扩散区，所述非均匀相互扩散区包括SiN扩散微结构与AlN扩散微结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种外延片及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号