龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院
摘要：本发明公开了一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在蓝宝石衬底上的SiN层、生长在所述SiN层上的多个GaN纳米柱、对应包裹在所述多个GaN纳米柱外层的多个AlN纳米柱壳层、对应包裹在所述多个AlN纳米柱壳层外层的多个AlGaN纳米柱壳层、生长在所述多个AlGaN纳米柱壳层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。本发明采用纳米柱结构代替传统复杂的多层薄膜缓冲层结构，降低蓝宝石和AlGaN之间的晶格失配，提高了性能。
主权项：1.一种AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，包括：生长在蓝宝石衬底上的SiN层、生长在所述SiN层上的多个GaN纳米柱、对应包裹在所述多个GaN纳米柱外层的多个AlN纳米柱壳层、对应包裹在所述多个AlN纳米柱壳层外层的多个AlGaN纳米柱壳层、生长在所述多个AlGaN纳米柱壳层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层；单个所述GaN纳米柱的直径为50～200nm，高度为300～2000nm；单个所述AlN纳米柱壳层的厚度为50～150nm；单个所述AlGaN纳米柱壳层的厚度为50～150nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市昂德环球科技有限公司 惠州市三航无人机技术研究院 一种AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号