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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法，外延片包括依次层叠设置的衬底、复合缓冲层以及外延层；复合缓冲层包括周期性循环设置的铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层，铝硅氮扩散层包括层叠设置的AlN层与SiN扩散微结构，硅铝氮扩散层包括层叠设置的AlN扩散微结构与SiN层，SiN扩散微结构和AlN扩散微结构位于铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层的界面处；沿着衬底向外延层的方向上，复合缓冲层中的硅原子占比逐渐增加。本发明能够减少大尺寸外延层表面出现裂纹甚至裂片的现象，降低外延片报废率，提高外延片生产良率，节约生产成本。
主权项：1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括依次层叠设置的衬底、复合缓冲层以及外延层；所述复合缓冲层包括周期性循环设置的铝硅氮扩散层和硅铝氮扩散层，所述铝硅氮扩散层包括层叠设置的AlN层与SiN扩散微结构，所述硅铝氮扩散层包括层叠设置的AlN扩散微结构与SiN层，所述SiN扩散微结构和所述AlN扩散微结构位于所述铝硅氮扩散层和所述硅铝氮扩散层的界面处；其中，沿着所述衬底向所述外延层的方向上，所述复合缓冲层中的硅原子占比逐渐增加。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种外延片及其制备方法
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