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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种加热座及碳化硅外延设备，属于碳化硅生产设备技术领域，该加热座用于与另一加热座围成生长腔室；生长腔室内具有外延生长区域；加热座具有沿第一方向贯穿设置的第一腔室，加热座包括第一内壁和第一壁，第一内壁围成第一腔室；第一壁与第一内壁相背离，且第一壁用于围成生长腔室；其中，第一内壁和第一壁之间具有沿第一方向贯穿加热座的通气孔，通气孔与外延生长区域沿第二方向相对设置，第二方向与第一方向垂直。本申请通过在加热座上外延生长区域对应的位置设置通气孔，以通入流动的气体带走生长腔室中心的热量，降低生长腔室中心的温度以减少生长腔室中心和边缘的温度差值，进而解决外延片厚度和载流子浓度均匀性差的问题。
主权项：1.一种加热座，其特征在于，用于与另一加热座10围成生长腔室20；所述生长腔室20内具有外延生长区域21；所述加热座具有沿第一方向贯穿设置的第一腔室11，所述加热座包括：第一内壁12，所述第一内壁12围成所述第一腔室11；第一壁13，所述第一壁13与所述第一内壁12相背离，且所述第一壁13用于围成所述生长腔室20；其中，所述第一内壁12和所述第一壁13之间具有沿第一方向贯穿所述加热座的通气孔14，所述通气孔14与所述外延生长区域21沿第二方向相对设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 加热座及碳化硅外延设备
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