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申请/专利权人：深圳腾睿微电子科技有限公司
摘要：本发明提供一种生长设备，包括坩埚，坩埚内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及硅源补充腔；坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，多孔隔板设置于晶体生长腔与气体缓冲腔之间，开合机构设置于气体缓冲腔及硅源补充腔之间；坩埚外设置有第一加热构件及第二加热构件，第一加热构件对应生长腔及气体缓冲腔设置，第二加热构件对应硅源补充腔设置。在出现富碳状态时，可以开启第二加热构件，对硅源补充腔内的硅材料进行加热升华，同时打开开合机构，升华的硅材料经开合机构进入到气体缓冲腔中；第一加热构件使硅材料达到与晶体生长腔相同的温度，再通过多孔隔板缓释进晶体生长腔内，进而达到补充硅的目的，提升晶体质量。
主权项：1.一种生长设备，用于生长碳化硅材料，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚内包括自上至下依次排布的晶体生长腔、气体缓冲腔及的硅源补充腔；所述坩埚内设置有多孔隔板及开合机构，所述多孔隔板设置于所述晶体生长腔与所述气体缓冲腔之间，所述开合机构设置于所述气体缓冲腔及硅源补充腔之间，用于控制所述气体缓冲腔及硅源补充腔之间的连通与隔离；所述坩埚设置有第一加热构件及第二加热构件，所述第一加热构件对应所述生长腔及所述气体缓冲腔设置，所述第二加热构件对应所述硅源补充腔设置；所述第二加热构件能够对所述硅源补充腔内的硅材料进行加热升华；所述第一加热构件能够对所述气体缓冲腔中升华的硅材料进行加热，使其达到与晶体生长腔相同的温度，再通过所述多孔隔板缓释进所述晶体生长腔内；所述晶体生长腔与气体缓冲腔的容积比为1.8:1-2.2:1，所述气体缓冲腔与所述硅源补充腔的容积比为1.8:1-2.2:1；所述第一加热构件环绕在所述坩埚的外壁；所述多孔隔板的外围区域的孔密度大于其中心区域的孔密度。
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