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申请/专利权人：英利能源(中国)有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院
摘要：本发明提供了一种晶体硅片腐蚀速率测试方法，属于硅片测试技术领域，包括将待腐蚀的硅片称重，记录硅片腐蚀前的重量W1；将硅片放到清洗槽内的滚动输送装置上，对硅片进行清洗和腐蚀；取出经腐蚀后的硅片称重，记录硅片腐蚀后的重量W2；计算硅片腐蚀的深度；计算每次测试的硅片腐蚀速率，计算硅片腐蚀速率的平均值。本发明提供的晶体硅片腐蚀速率测试方法，操作简单，方便可靠，不仅提高了测试数据的精确性，也提高了测试的工作效率。
主权项：1.晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，包括：将待腐蚀的硅片称重，记录硅片腐蚀前的重量W1；将硅片放到清洗槽内的滚动输送装置上，并使硅片完全浸没在清洗槽内的化学溶液中，设定滚动输送装置在清洗槽内的传送时间和传送速度，对硅片进行清洗和腐蚀；取出经腐蚀后的硅片称重，记录硅片腐蚀后的重量W2；通过腐蚀深度公式1计算硅片腐蚀的深度Δh： 根据公式2和公式1，得到公式3，通过公式3计算硅片腐蚀速率ν：Δh＝ν×T2 式中：Δh—硅片腐蚀后腐蚀深度，单位μmν—腐蚀速率，单位μmsW1—样品硅片腐蚀前的重量，单位gW2—硅片腐蚀后去除杂物的重量，单位gS—硅片两个腐蚀面的面积，单位cm2T—受腐蚀时间，单位sρ—硅密度，单位gcm3重复上述测试硅片，计算每次测试的硅片腐蚀速率，按公式4计算硅片腐蚀速率的平均值： 4式中:ν—腐蚀速率的平均值,μms；νn—单个样品的腐蚀速率,μms；n—正整数；在所述清洗槽内清洗时，硅片随所述滚动输送装置依次经过碱洗槽、冲洗槽、酸洗槽和冲洗槽，碱洗槽内NaOH碱液的浓度为3-10gL；酸洗槽内HF酸液的浓度为3-10gL；所述滚动输送装置的传送速度大于等于1.0mmin；选用三片样品进行测试；测试环境温度25℃±2℃；测得的腐蚀速率上偏差1.52mmin，下偏差1.2mmin；每片样品都在标准偏差0.32mmin范围内。
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权利要求：
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