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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供了一种存储晶体管的字线制备方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底中开设有字线沟槽，在字线沟槽的底部和侧壁上形成栅介质层，在具有栅介质层的沟槽中形成第一字线部，在第一字线部的上端面形成第二字线部，且与第一字线部电连接，第二字线部的上端面内沉于半导体衬底的上端面，有效增加了字线的厚度，降低字线的电阻，提高栅极对沟道的控制能力。由于在第二字线部的外侧壁和栅介质层之间形成有第一绝缘层，完全包覆第二字线部的上端面形成有第二绝缘层，有效防止字线与后续所形成的位线接触区以及电容器接触区电连接，防止形成漏电流，避免存储晶体管性能降低。本发明还提供了一种存储晶体管的字线结构以及一种存储晶体管。
主权项：1.一种存储晶体管的字线制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成一具有多个开口的掩膜层，在所述半导体衬底中对应于所述开口的位置处形成有字线沟槽，所述字线沟槽将位于所述半导体衬底表层的掺杂层分隔为源区和漏区；在所述字线沟槽的底部和侧壁上形成栅介质层；在具有所述栅介质层的沟槽中形成第一字线部，另使所述第一字线部的上端面内沉于所述半导体衬底的上表面，所述第一字线部的上端面与所述掺杂层的下端面齐平；所述第一字线部的上端面、位于所述第一字线部的上端面上方的所述字线沟槽的内壁、所述开口的内侧壁以及所述掩膜层的上表面上形成第一绝缘层；去除所述第一字线部的上端面和所述掩膜层上表面的所述第一绝缘层，保留所述字线沟槽的内壁上的所述第一绝缘层；在所述第一字线部的上端面形成第二字线部，所述第二字线部与所述第一字线部电连接，另使所述第二字线部的上端面内沉于所述半导体衬底的上表面且高于所述掺杂层的下端面，所述第二字线部的侧面距离至所述栅介质层的间隔由所述第一绝缘层在所述字线沟槽的内壁的保留厚度所界定和调整；及在位于所述第二字线部的上端面上方的所述字线沟槽中形成第二绝缘层。
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