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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明提供一种efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路，efuse单元结构包括编程熔丝和参考熔丝；第一、第二NMOS管；参考熔丝的一端为efuse单元结构的SAref端口，另一端连接第二NMOS管的漏极；编程熔丝的一端为efuse单元结构的位线端口，另一端连接第一NMOS管的漏极；第一、第二NMOS管的栅极连接形成efuse单元结构的字线端口；第一、第二NMOS管的源极连接形成efuse单元结构的接地端口。本发明efuse单元结构对熔丝采用非熔断性编程操作，降低了对所需编程电流要求，可以在较低的编程电压下工作，使得系统功耗大幅下降。同时能可靠地比较编程熔丝和参考熔丝之间的微小差别，并采用非熔断机制，所需编程电流更小，从而缩小了efuse整体的面积。
主权项：1.一种efuse单元结构，其特征在于，至少包括：由编程熔丝和参考熔丝组成的熔丝对；第一、第二NMOS管；其中所述参考熔丝的一端为所述efuse单元结构的SAref端口；所述参考熔丝的另一端连接所述第二NMOS管的漏极；所述编程熔丝的一端为所述efuse单元结构的位线端口；所述编程熔丝的另一端连接所述第一NMOS管的漏极；所述第一、第二NMOS管的栅极相互连接形成所述efuse单元结构的字线端口；所述第一、第二NMOS管的源极相互连接形成所述efuse单元结构的接地端口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路
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