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申请/专利权人:杭州积海半导体有限公司
摘要:本发明提供一种efuse单元结构及efuse存储阵列结构,该efuse单元结构包括:第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第一熔丝、第二熔丝和晶体管;第一熔丝与第三焊盘电连接;第二熔丝与第三焊盘电连接;晶体管的漏极与第三焊盘电连接,晶体管的栅极与字线电连接,晶体管的源极与接地端电连接;其中,第一焊盘与第一位线电连接,第二焊盘与第二位线电连接,第一熔丝、第二熔丝、第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘位于同一层内,且第一熔丝和第二熔丝对称布设于第三焊盘的两侧。本发明中的efuse单元结构可以改善efuse单元结构的面积较大,芯片集成度较低的技术问题。
主权项:1.一种efuse单元结构,其特征在于,包括:第一焊盘;第二焊盘;第三焊盘;第一熔丝,所述第一熔丝的阳极与所述第一焊盘电连接,所述第一熔丝的阴极与所述第三焊盘电连接;第二熔丝,所述第二熔丝的阳极与所述第二焊盘电连接,所述第二熔丝的阴极与所述第三焊盘电连接;晶体管,所述晶体管的漏极与所述第三焊盘电连接,所述晶体管的栅极与字线电连接,所述晶体管的源极与接地端电连接;其中,所述第一焊盘与第一位线电连接,所述第二焊盘与第二位线电连接,所述第一熔丝、所述第二熔丝、所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述第三焊盘位于同一层内,且所述第一熔丝和所述第二熔丝对称布设于所述第三焊盘的两侧。
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权利要求:
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