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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要:一种eFuse结构、存储器及应用电路。所述eFuse结构包括:BJT晶体管组,所述BJT晶体管组包括至少一个BJT晶体管;以及与所述BJT晶体管组连接的电熔丝;基于所述BJT晶体管组中BJT晶体管的电流放大特性,控制电熔丝是否熔断。采用上述方案,实现对较小电流的监测,以用于精密系统的熔断。
主权项:1.一种eFuse结构,其特征在于,包括:BJT晶体管组,所述BJT晶体管组包括至少一个BJT晶体管;以及与所述BJT晶体管组连接的电熔丝;基于所述BJT晶体管组中BJT晶体管的电流放大特性,控制电熔丝是否熔断。
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百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 eFuse结构、存储器及应用电路
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