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申请/专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
摘要：本申请公开了一种存储器、存储器的写入方法和读取方法。其中，存储器包括自旋轨道矩提供层、两个存储位元、两个二极管、第一位线、第二位线、字线、源线和晶体管，其中，自旋轨道矩提供层的一端与第一位线连接，自旋轨道矩提供层的另一端与晶体管连接，且晶体管分别与字线和源线连接，两个存储位元间隔地设置在自旋轨道矩提供层的表面上，存储位元远离自旋轨道矩提供层的一端与二极管的第一端一一对应地串联，与两个存储位元连接的二极管的第一端对应的电极正负不同，二极管的第二端分别与第二位线连接。本申请解决了相关技术中存储器的存储单元面积大、集成度低，且不能实现独立读写的技术问题。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括自旋轨道矩提供层、两个存储位元、两个二极管、第一位线、第二位线、字线、源线和晶体管，其中，所述自旋轨道矩提供层的一端与第一位线连接，所述自旋轨道矩提供层的另一端与所述晶体管连接，且所述晶体管分别与所述字线和所述源线连接，两个所述存储位元间隔地设置在所述自旋轨道矩提供层的表面上，所述存储位元远离所述自旋轨道矩提供层的一端与所述二极管的第一端一一对应地串联，与两个所述存储位元连接的所述二极管的第一端对应的电极正负不同，所述二极管的第二端分别与第二位线连接，所述存储位元为MTJ，且间隔设置的所述MTJ的固定层的磁化方向相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中电海康集团有限公司 浙江驰拓科技有限公司 存储器、存储器的写入方法和读取方法
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