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申请/专利权人：青岛海存微电子有限公司
摘要：本申请提供了一种写入方法、电路以及阵列，涉及集成电路技术领域。写入电路，包括电压调控模块以及Nand型磁存储单元；Nand型磁存储单元包括自旋轨道矩层以及设置在自旋轨道矩层上的多个磁隧道结。电压调控模块用于根据预设存储需求，生成写入电压和与多个磁隧道结一一对应的控制电压，并将写入电压提供给自旋轨道矩层，将控制电压提供给对应磁隧道结，以使得初始化后的多个磁隧道结按照预设的翻转概率进行翻转。本申请可以根据预设存储需求生成的每个磁隧道结对应的控制电压，来控制磁隧道结的翻转概率，从而可以精确实现Nand型磁存储单元的选择性写入，进而使Nand型磁存储单元可以应用于精确存储中。
主权项：1.一种写入电路，其特征在于，包括电压调控模块以及Nand型磁存储单元；所述Nand型磁存储单元包括自旋轨道矩层以及设置在所述自旋轨道矩层上的多个磁隧道结；所述电压调控模块用于根据预设存储需求，生成写入电压和与所述多个磁隧道结一一对应的控制电压，并将所述写入电压提供给所述自旋轨道矩层，将所述控制电压提供给对应所述磁隧道结，以使得初始化后的所述多个磁隧道结按照预设的翻转概率进行翻转。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛海存微电子有限公司 一种写入方法、电路以及阵列
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