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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本揭露所述的影像感测器装置的像素感测器阵列可包含深沟渠隔离结构，其包含延伸至影像感测器装置的基材中的多个深沟渠隔离部分。深沟渠隔离部分的两个或多个次组合可延伸在像素感测器阵列的像素感测器的光电二极管周围，且可延伸不同的深度至基材中。不同的深度可使通过光电二极管产生的光电流被合并，并用来产生联合光电流。不同的深度可使光子在光电二极管中混合，其可使四象限光感测器合并以提升相位检测自动对焦的效能。提升的相位检测自动对焦效能可包含增加自动对焦速度、增加高动态范围、增加量子效率及或增加满井转换。
主权项：1.一种像素感测器阵列，其特征在于，包含：多个像素感测器，排列在一网格中，其中所述多个像素感测器对应至该像素感测器阵列的一四象限光感测quadraticphotodetection，QPD区域，且所述多个像素感测器的一像素感测器包含：一第一光电二极管，在该像素感测器阵列的一基材中；一第二光电二极管，水平地相邻在该像素感测器阵列的该基材中的该第一光电二极管；以及一彩色滤光片区域，在该第一光电二极管及该第二光电二极管上；一深沟渠隔离结构，包含：一第一深沟渠隔离部分，自该基材的一顶表面沿着该第一光电二极管的一外侧延伸至该基材中；一第二深沟渠隔离部分，自该基材的该顶表面沿着该第二光电二极管的一外侧延伸至该基材中；以及一第三深沟渠隔离部分，自该基材的该顶表面延伸至该基材中，且该第三深沟渠隔离部分在该第一光电二极管与该第二光电二极管之间，其中该第三深沟渠隔离部分相对于该基材的该顶表面的一深度是小于该第一深沟渠隔离部分相对于该基材的该顶表面的一深度，且其中该第三深沟渠隔离部分的该深度是小于该第二深沟渠隔离部分相对于该基材的该顶表面的一深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 像素感测器阵列
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