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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构和封装结构的制造方法，封装结构包括：承载层，所述承载层上具有多个芯片单元；伪芯片，至少两个所述芯片单元的至少部分上表面被同一所述伪芯片覆盖；缓冲层，位于所述伪芯片与所述芯片单元之间；所述缓冲层和所述伪芯片中的一者的上表面具有激光标记。本公开实施例至少可以提高封装结构的性能。
主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：承载层，所述承载层上具有多个芯片单元；伪芯片，至少两个所述芯片单元的至少部分上表面被同一所述伪芯片覆盖；缓冲层，位于所述伪芯片与所述芯片单元之间；所述缓冲层和所述伪芯片中的一者的上表面具有激光标记。
全文数据：
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 封装结构和封装结构的制造方法
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