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申请/专利权人：英特尔公司

摘要：提供了一种装置，其包括：鳍状物；形成在鳍状物上的层，所述层将鳍状物分为第一部分和第二部分；形成在鳍状物的第一部分上的第一器件；以及形成在鳍状物的第二部分上的第二器件。

主权项：1.一种半导体器件，包括：鳍状物；形成在所述鳍状物上的电隔离层，所述电隔离层将所述鳍状物分为第一部分和第二部分；形成在所述鳍状物的所述第一部分上的第一器件；形成在所述鳍状物的所述第二部分上的第二器件；设置在所述鳍状物上的栅极叠置体，其中，所述栅极叠置体的第一部分是所述第一器件的第一栅极区，并且所述栅极叠置体的第二部分是所述第二器件的第二栅极区；以及分离所述栅极叠置体的所述第一部分和所述栅极叠置体的所述第二部分的区域，其中，所述区域包括绝缘材料。

全文数据：鳍状物中的垂直叠置晶体管背景技术半导体器件中的鳍状物例如可以用于形成晶体管。例如，可以使用鳍状物的顶部部分形成晶体管。例如，鳍状物的底部部分通常不用于形成任何晶体管。附图说明通过下面给出的具体实施方式以及本公开的各种实施例的附图，将更全面地理解本公开的实施例，然而附图不应被视为将本公开限于特定的实施例，而是仅用于解释和理解。图1A-1G示出了根据一些实施例的与形成具有带静电阻挡层的鳍状物的器件相关联的各种操作，其中在鳍状物上的静电阻挡层上方形成第一晶体管，在鳍状物上的静电阻挡层下方形成第二晶体管。图2A-2C示出了根据一些实施例的与使用离子注入形成阻挡层相关联的操作。图3A-3E1示出了根据一些实施例的与通过在鳍状物上沉积固定电荷而在鳍状物中形成阻挡层相关联的操作。图4A-4D示出了根据一些实施例的经由背面显露工艺的栅极叠置体的形成。图5A示出了根据一些实施例的包括具有静电阻挡层的鳍状物的部件，其中在鳍状物上形成四个晶体管。图5B示出了根据一些实施例的包括具有带开口的静电阻挡层的鳍状物的部件，其中在鳍状物上形成四个串联连接的晶体管。图6示出了描绘根据一些实施例的用于形成具有带静电阻挡层的鳍状物的器件的方法的流程图，其中在鳍状物上的静电阻挡层上方形成第一晶体管，在鳍状物上的静电阻挡层下方形成第二晶体管。图7示出了根据一些实施例的计算机系统、计算设备或SoC片上系统，其中计算设备的一个或多个部件包括具有静电阻挡层的鳍状物，其中在鳍状物上的静电阻挡层上方形成第一晶体管，并且在鳍状物上的静电阻挡层下方形成第二晶体管。具体实施方式在一些实施例中，可以形成具有鳍状物的半导体部件。可以在鳍状物上形成静电阻挡层，其中静电阻挡层将鳍状物分为顶部部分和底部部分。在一些实施例中，静电阻挡层可以用作鳍状物的顶部部分和底部部分之间的电隔离层。在一些实施例中，可以在鳍状物的中央区域上通过离子注入形成静电阻挡层。在一些实施例中，可以通过鳍状物的中央区域上的包含在电介质层内的固定电荷的沉积形成静电阻挡层。在一些实施例中，可以在鳍状物上形成栅极叠置体。栅极叠置体可以具有形成在鳍状物的顶部部分上的顶部部分，以及形成在鳍状物的底部部分上的底部部分。栅极叠置体的顶部部分和底部部分可以由绝缘层隔开。在一些实施例中，栅极叠置体例如，栅极叠置体的底部部分可以通过部件的正面处理形成。在一些其他实施例中，栅极叠置体例如，栅极叠置体的底部部分可以通过部件的背面显露工艺形成。在一些实施例中，可以在鳍状物的顶部部分上形成第一晶体管，可以在鳍状物的底部部分上形成第二晶体管。栅极叠置体的顶部部分可以形成第一晶体管的栅极区，并且栅极叠置体的底部部分可以形成第二晶体管的栅极区。在一些实施例中，可以在鳍状物的顶部部分上形成多于一个晶体管，并且可以在鳍状物的底部部分上形成多于一个晶体管。在一些实施例中，可以对静电阻挡层进行图案化以形成开口。也可以对开口区域中的鳍状物进行适当的掺杂。静电阻挡层中的开口和或开口区域中的掺杂可以电连接第一晶体管和第二晶体管。各种实施例具有许多技术优点。例如，常规系统允许仅使用鳍状物的最顶部形成晶体管。然而，在本文讨论的各种实施例中，鳍状物中的垂直隔离例如，由静电阻挡层提供允许在同一鳍状物上的垂直隔离的顶部和下方引入器件。这允许在同一鳍状物上形成叠置器件。在一些实施例中，也可以例如通过对静电阻挡层进行图案化以产生开口和或通过在开口区域中适当地掺杂鳍状物来互连叠置器件。根据各种实施例和附图，其他技术效果中将是明显的。在以下说明中，论述了许多细节以提供对本公开的实施例的更透彻的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实施本公开的实施例。在其他情况下，以方框图的形式而非详细地显示了公知的结构和器件，以避免使得本公开的实施例难以理解。注意，在实施例的相应附图中，以线来表示信号。一些线可以较粗，用以表示更多组成的信号路径，和或在一端或多端具有箭头，用以表示主要信息流动方向。这种表示并非旨在是限制性的。相反，结合一个或多个示例性实施例来使用这些线，以有助于更容易地理解电路或逻辑单元。任何表示的信号，如按照设计需要或偏好所规定的，实际上都可以包括一个或多个信号，其可以在任一方向上传播，并且可以以任何适当类型的信号方案来实施。在整个说明书和权利要求书中，术语“连接”表示在连接的事物之间的直接连接例如，电连接、机械连接或磁连接，没有任何中间器件。术语“耦合”表示在连接的事物之间的直接或间接连接例如，直接电连接、机械连接或磁连接或者通过一个或多个无源或有源中间器件的间接连接。术语“电路”或“模块”可以指代被布置为彼此协作以提供所期望的功能的一个或多个无源和或有源部件。术语“信号”可以指代至少一个电流信号、电压信号、磁信号或数据时钟信号。“一”、“一个”和“这个”的含义包括多个指代物。“在……中”的含义包括“在……中”和“在……上”。术语“基本上”、“接近”、“近似”、“附近”和“大约”通常是指在目标值的+-10％内。除非另有说明，用于描述共同对象的序数词“第一”、“第二”和“第三”等的使用仅仅表示正提及相似对象的不同实例，并非旨在暗示如此描述的对象必须或在时间上、空间上、排序上或以任何其他方式处于给定的顺序中。对于本公开，短语“A和或B”和“A或B”表示A、B或A和B。对于本公开，短语“A、B和或C”表示A、B、C、A和B、A和C、B和C或A、B和C。说明书和权利要求书中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“之上”、“之下”等如果有的话是用于描述的目的，但不一定用于描述永久相对位置。图1A-1G示出了根据一些实施例的与形成具有带静电阻挡层的鳍状物的器件相关联的各种操作，其中在鳍状物上的静电阻挡层上方形成第一晶体管，并且在鳍状物上的静电阻挡层下方形成第二晶体管。参照图1A，示出了包括形成在晶圆或衬底102上的鳍状物106的部件100a。在一些实施例中，牺牲层104可以沉积在衬底102与鳍状物106之间例如，可以在牺牲层104上形成鳍状物106。例如，鳍状物106可以包括适当形式的适当半导体材料，例如硅和或包含硅或另一半导体的化合物，包括但不限于锗、硅锗SiGe、砷化镓GaAs、砷化铟镓InGaAs、适当的III-V族化合物半导体、锗锡、碲化铅PbTe、适当的II-VI族半导体、非晶半导体材料，例如氧化铟镓锌IGZO等。在一些实施例中，牺牲层104可以例如包括间隙填充材料、绝缘材料、电介质材料等。在一些实施例中，牺牲层104可以包括外延层，并且可以包括锗、硅锗SiGe等。可以使用用于在衬底上形成这种鳍状物和牺牲层的任何适当的操作在衬底102上形成鳍状物106和牺牲层104。图1A示出了横截面近似为矩形的鳍状物106。然而，本公开的原理可以应用于任何其他形状的鳍状物106，例如，具有梯形横截面、沙漏横截面、三角形横截面等的鳍状物，或者应用于纳米带、纳米线鳍状物等。图1B示出了在鳍状物106的一部分例如，在鳍状物内垂直方向上的中央区域上形成静电阻挡层108下文中也称为“阻挡层108”或简称为“层108”，从而形成部件100b。例如，阻挡层108将鳍状物106分成或隔离成顶部部分和底部部分。因此，阻挡层108也可以称为隔离层。在一些实施例中，阻挡层108可以通过许多可能的方法之一形成，并且阻挡层108的特性可以至少部分地基于用于形成阻挡层108的方法。图2A-2C示出了根据一些实施例的与使用离子注入在鳍状物106中形成阻挡层108的至少两种方法相关联的操作。参考图2A，在一些实施例中，可以通过在图1A的部件100a的衬底102的顶表面上形成间隙填充材料202来形成部件200a例如，其中衬底102的顶表面是衬底102中的其上形成有鳍状物106的表面。在一些实施例中，间隙填充材料202可以是适当的绝缘或电介质材料。例如，间隙填充材料202可以由可以包括但不限于二氧化硅、氮氧化硅、旋涂氧化硅或类似材料的材料形成。在一些实施例中，间隙填充材料202可以至少部分地包封鳍状物106，并且间隙填充材料202的顶表面可以与鳍状物106的顶表面齐平。例如，如图2A所示，可以通过间隙填充材料202的顶表面看到鳍状物106的顶表面。参考图2B，在一些实施例中，可以通过使间隙填充材料202从图2A的部件200a部分地凹陷来形成部件200b。凹陷可以例如通过抛光操作例如，通过化学机械抛光操作、蚀刻操作等来完成。由于使间隙填充材料202部分凹陷，因此通过间隙填充材料202可以看到鳍状物106的顶部部分。在一些实施例中，如果鳍状物106的高度大约为h，则鳍状物106的暴露部分的高度例如，通过凹陷的间隙填充材料202暴露出来的可以大约为h2。在一些实施例中，可以在图2A的部件200a或图2B的部件200b上执行离子注入工艺，例如，以形成图2C中所示的阻挡层108。例如，如果在图2A的部件200a上执行离子注入工艺，则不需要形成图2B的部件200b。由此，在一些实施例中，图2B的部件200b可以是可选的。在一些实施例中，可以通过间隙填充材料202例如，通过图2A的未凹陷的间隙填充材料202，或者通过图2B的部分凹陷的间隙填充材料202执行离子注入工艺。在一些实施例中，可以使离子注入对准以在鳍状物106的中央区域内提供掺杂。例如，如果鳍状物106的高度大约为h例如，如图2C所示，则鳍状物106的中央区域的高度可以大约为h2。在一些实施例中，鳍状物106的中央区域可以具有最高的掺杂浓度，并且鳍状物106的顶部和底部处的区域可以具有相对低的掺杂，或者根本没有掺杂。在一些实施例中，可以执行用于生成图2C中的掺杂分布的离子注入，使得离子被引向中央区域。离子注入可以通过间隙填充材料202。在一些实施例中，离子注入可以用两个、四个或更多个离子束取向来执行，以便有效地掺杂鳍状物106的所有侧面。离子注入之后可以是热退火以电激活掺杂。在又一个示例中，可以使用等离子体注入操作来掺杂鳍状物106，其后也可以执行热退火操作以电激活掺杂。在一个示例中，图2C示出了通过在图2A或2B的部件200a或200b中的离子注入形成的鳍状物106中的示例性掺杂分布。在一些实施例中，中央区域220d中的掺杂可以是最大的。区域220c例如，其位于中央区域220d上方中的掺杂可以低于中央区域220d中的掺杂；区域220b例如，其位于区域220c上方中的掺杂可以低于区域220c中的掺杂；区域220a例如，其位于区域220b上方中的掺杂可以低于区域220b中的掺杂。类似地，区域220e例如，其位于中央区域220d下方中的掺杂可以低于中央区域220d中的掺杂；区域220f例如，其位于区域220e下方中的掺杂可以低于区域220e中的掺杂；区域220g例如，其位于区域220f下方中的掺杂可以低于区域220f中的掺杂，依此类推。区域220h例如，在鳍状物106的顶部部分和220i例如，在鳍状物106的底部部分可以具有最小的、可忽略的掺杂或不具有掺杂例如，区域220h和220i可以基本上是未掺杂的。区域220a、……、220g可以形成图1B的阻挡层108。尽管图2C示出了未被间隙填充材料202覆盖的鳍状物106，但是间隙填充材料202可以存在于部件200c中并且可以完全或部分地覆盖鳍状物106，例如，基于是在部件200a上还是在部件200b上执行离子注入。出于清楚的目的，在图2C中未示出间隙填充材料202。尽管用于说明目的，图2C示出了具有不同掺杂浓度的离散且分离的区域，但掺杂分布可以是连续的或渐变的，例如，在鳍状物106的中央区域中具有最高的掺杂浓度，并且掺杂朝向鳍状物106的顶部部分和底部部分逐渐减小。在一些实施例中，离子注入在鳍状物106的中央区域周围的所有侧面上生成阻挡或隔离区域。本文关于图1C进一步讨论使用离子注入工艺生成的阻挡层108。在一些实施例中，通过图2A的部件200a上的离子注入生成的掺杂分布可以不同于通过图2B的部件200b上的离子注入生成的掺杂分布，例如，因为图2B中的鳍状物106的顶部部分未被间隙填充材料202覆盖。仅作为示例，通过图2A的部件200a上的离子注入生成的掺杂分布可以在中央区域220d周围有些对称例如，区域220c和220e可以具有有些类似的掺杂浓度。然而，通过图2B的部件200b上的离子注入生成的掺杂分布可以在中央区域220d周围不对称例如，区域220c可以具有与区域220e略微不同的掺杂浓度。图2A-2C示出了使用离子注入形成阻挡层108的两个示例性方法例如，包括图2A和2C中讨论的操作的第一方法，以及包括图2A、2B和2C中讨论的操作的第二方法。图3A-3E1示出了根据一些实施例的与通过在鳍状物106上沉积包含固定电荷的电介质层而在鳍状物106中形成阻挡层108的第三种方法相关联的操作。参考图3A，示出了部件300a，其中凹陷的间隙填充材料302可以至少部分地覆盖鳍状物106。可以至少部分地类似于图2B的部件200b的形成来形成部件300a，并因此，在本文中不进一步详细讨论部件300a和间隙填充材料302的形成。假设图3A中的鳍状物106的暴露部分具有大约h1的高度。参考图3B，固定电荷306可以沉积在鳍状物106的暴露侧面上以形成部件300b。通常，固定电荷材料是包含固定电荷即不可移动的电荷的电介质材料，取决于电介质材料的带隙以及如何形成处理电介质材料，固定电荷可以是正电荷或负电荷，固定电荷材料中的固定电荷的浓度高于导致任一种非有意固定电荷可能存在于相同类型材料的典型电介质中的浓度。例如，固定电荷电介质材料132中的固定电荷的浓度可以是每平方厘米1012或更高。传统上，通过仔细的架构设计、材料的选择和严格的制造工艺控制，已经在某种程度上避免和减少在晶体管中或周围具有固定电荷非有意的少量固定电荷通常是不可避免的。与这种传统思路相反，本发明的发明人认识到，故意将固定电荷添加到晶体管装置的仔细和特定选择的位置实际上可以提供优点。该认识基于以下认知：如果在鳍状物106中在期望防止任何电流流动的位置提供具有足够量的固定电荷的电介质材料，则固定电荷电介质材料的固定电荷可以通过库仑力与移动电荷相互作用，并且可以消耗或阻挡鳍状物106的那部分中的移动电荷，这可以用于隔离鳍状物106的部分，从而用作鳍状物106内的阻挡层。可以沉积正电荷或负电荷例如，如本文中稍后关于图1B所讨论的作为电介质层内的固定电荷。在一些实施例中，电介质层包括以下之一：Al、O、Si或N，或它们的组合。在一些实施例中，电介质层包括以下之一：氧化铝Al2O3或氮化硅Si3N4。在一些实施例中，可以使用Al2O3、Si3N4和或其他适当的材料来沉积固定电荷306。例如，可以将这些层设计成沉积有高浓度的杂质例如，氢，其可以在沉积后被热退火。现在参考图3C，可以沉积并平坦化另外的间隙填充材料302以包封鳍状物106并形成部件300c。在一些实施例中，通过间隙填充材料302的顶表面可以看到鳍状物106的顶表面。参考图3D，示出了部件300d，其中可以使部件300c的间隙填充材料302部分凹陷以部分暴露鳍状物106。例如，部件300d中的鳍状物106的暴露部分可以具有h2的高度，其中高度h2可以小于部件300a和300b的高度h1。参考图3E，示出了通过从鳍状物106的部分暴露表面去除固定电荷306而形成的部件300e。例如，部件300e中的鳍状物106的暴露部分可以具有高度h2，并且固定电荷306可以从高度h2的暴露部分去除。应注意，因为高度h2小于高度h1，所以不会从鳍状物106中的仍然被间隙填充材料302覆盖的部分去除固定电荷306。在一些实施例中，可以通过湿法蚀刻或其他适当的技术从鳍状物106的暴露部分去除固定电荷306。图3E1示出了在从部件300e的侧面观察时图3E的部件300e的截面图。如图3E1所示，固定电荷306保留在鳍状物106的至少一部分上，例如，在鳍状物106的中央区域周围。例如，固定电荷例如，其可以包含在电介质层内的高度可以是高度h1与h2之间的差。在一些实施例中，包含在电介质层306内的固定电荷可以环绕或完全包围鳍状物106，并且将鳍状物106分为顶部区域和底部区域。在一些实施例中，图3E和3E1中的鳍状物上的剩余固定电荷306可以是图1B的阻挡层108。再次参考图1B，如在本文中以上所讨论的，阻挡层108可以通过离子注入例如，如关于图2A-2C所讨论的或通过施加固定电荷306例如，如关于图3A-3E1所讨论的来形成。在一些实施例中，阻挡层108可以在鳍状物106内提供垂直隔离。例如，阻挡层108将鳍状物106分成大致两个相等的部分。如在本文中以上所讨论的，例如如果使用离子注入生成阻挡层108，则阻挡层108可以没有任何明显或清楚的边界，并且掺杂浓度可以从鳍状物106的中央区域向鳍状物106的顶部和底部部分逐渐减小例如，如关于图2C所讨论的在一些实施例中，用于隔离的阻挡层108中的注入离子或固定电荷的符号可以取决于待形成的器件的极性。例如，对于N型器件例如，NMOS，可以在阻挡层108中沉积负电荷以用于隔离，对于P型器件例如，PMOS，可以在阻挡层108中沉积正电荷以用于隔离。在一些实施例中，固定电荷306的量可以取决于器件掺杂，并且可以在大约1e12平方厘米至大约1e13平方厘米的量级。在一些实施例中，用于隔离的阻挡层108中的注入掺杂剂原子的量可以在大约5e17立方厘米至大约5e19立方厘米的量级。图2A-2C示出了使用离子注入形成阻挡层108的两种示例性方法，图并且3A-3E1示出了与通过沉积包含固定电荷的电介质层而在鳍状物106中形成阻挡层108的第三种方法相关联的操作。在一些实施例中，阻挡层108也可以通过一种或多种其他适当的方式形成。例如，虽然未在图中示出，但是形成阻挡层108的第四种方法可以利用包含掺杂的沉积层或膜。包含掺杂的沉积层可以放置在鳍状物106内垂直方向上的中央区域周围例如，在将要形成阻挡层108的位置，然后进行热退火以使掺杂从沉积层扩散到鳍状物106的相邻区域中。可以用于为该第四种方法提供掺杂的材料的示例可以包括硼B、磷P、硅Si、其化合物、硼硅酸盐玻璃BSG、磷硅酸盐玻璃PSG，其他掺杂的硅酸盐玻璃，和或含有掺杂物质的其他材料。现在参考图1C，在一些实施例中，可以在部件100b上形成牺牲栅极层112以形成部件100c。图1C的左侧部分示出了部件100c的透视图，而图1C的右侧部分示出了部件100c的截面图尽管为了图示清楚，该截面图未示出衬底102。在一些实施例中，牺牲栅极层112可以在顶部和两侧上包围或环绕鳍状物106。例如，牺牲栅极层112可以不完全包围鳍状物106，因为牺牲栅极层112可以不沉积在鳍状物106的底表面上。在一些实施例中，牺牲栅极层112的内侧可以与鳍状物106相邻、附接、接触和或形成在鳍状物106上，例如，如图1C的截面图中更清楚地示出的。在一些实施例中，牺牲栅极层112可以例如包括间隙填充材料、绝缘材料、电介质材料等。在一些实施例中，牺牲栅极层112可以包括外延层，并且可以包括锗、硅锗SiGe等。尽管未在图中示出，但是在形成牺牲栅极层112之后，可以对图1C的部件100c执行各种操作。仅作为示例，可以选择性地掺杂鳍状物106的区域以形成源极区和漏极区等。例如，将示例性源极区120a和120b以及示例性漏极区121a和121b示为形成在图1D的部件100d中的鳍状物106上。可以使用任何适当的技术掺杂源极区120ab和漏极区121ab。例如，可以使用经由诸如化学气相沉积CVD或原子层沉积ALD的技术沉积在鳍状物106的暴露部分上的硼硅酸盐玻璃BSG材料、磷硅酸盐玻璃PSG引入掺杂，随后进行热退火使掺杂从BSGPSG膜扩散到鳍状物106的相应区域。在一个示例中，其中具有大量硼和或磷掺杂的适当材料可以用于掺杂硅或锗区域。在另一个示例中，外延技术可以用于掺杂。例如，可以使用气相外延，然后进行退火以扩散掺杂。在另一个示例中，可以使用离子注入，然后进行热退火，以掺杂鳍状物106的区域。在又一个示例中，可以使用等离子体注入操作，然后进行热退火，以掺杂鳍状物106的区域。现在参考图1E，在一些实施例中，可以在部件100d上去除牺牲栅极层112的顶部部分以形成部件100e。图1E的左侧部分示出了部件100e的透视图，而图1E的右侧部分示出了部件100e的截面图尽管为了图示清楚，该截面图未示出衬底102。可以例如经由定时蚀刻工艺或设计成在牺牲栅极层112的大约中间区域处停止的另一蚀刻工艺来去除牺牲栅极层112的顶部部分。由此，可以去除略多于牺牲栅极层112的上半部分。在一些实施例中，在去除牺牲栅极层112的顶部部分之后，可以在牺牲栅极层112的剩余部分的顶部上形成绝缘层124。绝缘层124可以例如使用任何适当的绝缘材料，例如氮化硅、氧化铝、碳化硅、氧化硅和或其他电绝缘材料形成。现在参考图1F，在一些实施例中，可以在绝缘层124上形成顶侧栅极128a，以形成部件100f。图1F的左侧部分示出了部件100f的透视图，而图1E的右侧部分示出了部件100f的截面图尽管为了图示清楚，该截面图未示出衬底102。在一些实施例中，顶侧栅极128a可以形成在通过去除牺牲栅极层112的顶部部分而形成的空隙中。顶侧栅极128a的内侧可以与鳍状物106相邻、附接或形成在鳍状物106上例如，如截面图中更清楚地示出的。现在参考图1G，在一些实施例中，牺牲栅极层112的剩余底部部分可以由底侧栅极128b替换，以形成部件100g。图1G的左侧部分示出了部件100g的透视图，而图1G的右侧部分示出了部件100g的截面图。在一些实施例中，虽然牺牲栅极层112不在鳍状物106下方例如，如图1C、1E和1F的截面图所示，但是底侧栅极128b也可以形成在鳍状物106下方例如，如图1G的截面图所示。例如，最初可以去除或蚀刻部件100f中的牺牲栅极层112的剩余底部部分以生成空隙。随后，也可以去除牺牲层104的部分例如，在鳍状物106的将要形成底侧栅极128b的部分下方。随后，可以形成底侧栅极128b。在一些实施例中，顶侧栅极128a和底侧栅极128b中的每一个可以由至少两层形成，即栅极电介质层和栅电极层。栅极电介质层可以包括一层或层叠置体。一个或多个层可以包括氧化硅、二氧化硅SiO2和或高k电介质材料。高k电介质材料可以包括诸如铪、硅、氧、钛、钽、镧、铝、锆、钡、锶、钇、铅、钪、铌和锌的元素。可以在栅极电介质层中使用的高k材料的示例包括但不但不限于，氧化铪、氧化铪硅、氧化镧、氧化镧铝、氧化锆、氧化锆硅、氧化钽、氧化钛、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛、氧化钇、氧化铝、氧化钽钪钽和铌酸铅锌。在一些实施例中，可以在使用高k材料时对栅极电介质层执行退火工艺以改善其质量。栅电极层可以形成在栅极电介质层上，并且可以包括至少一种P型功函数金属或N型功函数金属，这取决于晶体管是p型例如，PMOS还是n型例如，NMOS晶体管。在一些实施方式中，栅电极层可以包含两个或更多个金属层的叠置体，其中一个或多个金属层为功函数金属层且至少一个金属层为填充金属层。可以包括其他金属层用于其他目的，例如阻挡层。例如，对于p型晶体管，可以用于栅电极的金属包括但不限于钌、钯、铂、钴、镍和导电金属氧化物，例如氧化钌。P型金属层可以使得能够形成p型栅电极，其功函数在大约4.9eV与大约5.2eV之间。对于n型晶体管，可以用于栅电极的金属包括但不限于铪、锆、钛、钽、铝，这些金属的合金，以及这些金属的碳化物，例如碳化铪、碳化锆、碳化钛、碳化钽和碳化铝。N型金属层可以使得能够形成NMOS栅电极，其功函数在大约3.9eV与大约4.2eV之间。在一些实施例中，在器件100g中，顶侧栅极128a和底侧栅极128b组合形成用于部件100g的栅极叠置体128。部件100g包括两个叠置的晶体管。例如，顶部晶体管包括源极区120a、顶侧栅极128a和漏极区121a；并且底部晶体管包括源极区120b、底侧栅极128b和漏极区121b。两个晶体管的源极区可以经由阻挡层108分离或隔离。两个晶体管的漏极区也可以经由阻挡层108分离或隔离。在一些实施例中，两个晶体管的栅极可以经由绝缘层124分离或隔离。由此，阻挡层108有助于分别在鳍状物的顶侧和底侧上形成两个叠置的晶体管。图1G示出了与用于例如通过从衬底102的顶侧执行的操作而从牺牲栅极层112形成栅极叠置体128的方法相关联的操作。栅极叠置体128也可以通过适当的方式形成。例如，图4A-4D示出了根据一些实施例的经由背面显露工艺形成栅极叠置体。参考图4A，示出了部件400a。部件400a类似于图1f的部件100f，并因此，在本文中不详细讨论。参考图4B，衬底102的顶表面包括鳍状物106、顶侧栅极128a和牺牲栅极层112由密封剂430包封以形成部件400b。密封剂430在图4B中被示为是半透明的以示出下面的元件—然而，密封剂430不一定是透明的或半透明的。在随后的附图中，密封剂430被示为是不透明的。在一些实施例中，密封剂430可以由这样的材料形成，其可以包括但不限于绝缘材料、电介质材料、间隙填充材料、二氧化硅、氮氧化硅、旋涂氧化硅或类似材料。现在参考图4C，部件400b例如，衬底102可以正面结合到载体晶圆，并且可以去除衬底102例如，经由化学和机械蚀刻工艺的组合以形成部件400c。由此，部件400不具有衬底102，并且示出了密封剂430，其中牺牲栅极层112和牺牲层104的表面通过密封剂430暴露出来。图4C中所示的密封剂430的顶表面实际上是附接在图4B中的衬底102上的密封剂430的表面。鳍状物106在图4C中不可见，例如，因为鳍状物106形成在例如在该图中可见的牺牲层104上。尽管未在图中示出，但是在一些实施例中，然后在部件400c中选择性地蚀刻牺牲栅极层112的剩余部分例如，经由化学和机械蚀刻工艺的组合。蚀刻可以设计成在绝缘层124处或附近停止。蚀刻可以形成沟槽，该沟槽可以用永久栅极材料填充以形成图4D的部件400d的底侧栅极428b。在一些实施例中，密封剂430可以存在于部件400d中，但是为了图示清楚，密封剂430未在图4D中示出。在一些其他实施例中，甚至可以在形成部件400d时去除密封剂430。参考图4D，部件400d具有通过背面显露工艺形成的底侧栅极428b，以及顶侧栅极128a其在图4A中形成。在一些实施例中，在器件400d中，顶侧栅极128a和底侧栅极428b组合形成用于部件400d的栅极叠置体428。图4D的底侧栅极428b和图1G的底侧栅极128b可以在结构上至少部分相似尽管两个底侧栅极可以通过两种不同的方式形成，如所讨论的，并且器件400d可以在结构上至少部分地类似于器件100g尽管例如，器件400d被示出为与器件100g相比是倒置的；并且器件400d缺少可以存在于器件100g中的衬底102。因此，在本文中不进一步详细讨论图4D中所示的器件400d。如关于图1G所讨论的，图1G和4D中的器件100g和400d中的每一个包括两个叠置的晶体管。例如，第一晶体管包括源极区120a、顶侧栅极128a和漏极区121a；底部晶体管包括源极区120b、底侧栅极428b或底侧栅极128b和漏极区121b。两个晶体管的源极区可以经由阻挡层108分离或隔离。两个晶体管的漏极区也可以经由阻挡层108分离或隔离。在一些实施例中，两个晶体管的栅极可以经由绝缘层124分离或隔离。由此，阻挡层108有助于分别在鳍状物的顶侧和底侧上形成两个叠置的晶体管。可以应用本公开的原理以在鳍状物上形成多个晶体管。例如，图5A示出了根据一些实施例的包括具有静电阻挡层508的鳍状物506的部件500a，其中在鳍状物506上形成四个晶体管。在一些实施例中，阻挡层508例如，其可以类似于本文中所讨论的阻挡层108将鳍状物506电气分为顶部部分和底部部分。两个栅极叠置体530和532可以形成在鳍状物506的两个相应区域上。栅极叠置体530和532中的每一个可以类似于图1G和或4D的栅极叠置体128和或428。例如，栅极叠置体530和532分别包括绝缘层524和528。在鳍状物506中标识出各个源极区520a、520b、漏极区522a、522b和漏极源极区521a、521b，其可以通过选择性掺杂鳍状物506形成。在一些实施例中，第一晶体管包括源极区520a、漏极源极区521a以及栅极叠置体530的顶部部分。在一些实施例中，第二晶体管包括漏极源极区521a、漏极区522a和栅极叠置体532的顶部部分。在一些实施例中，第三晶体管包括源极区520b、漏极源极区521b和栅极叠置体532的底部部分。在一些实施例中，第四晶体管包括漏极源极区521b、漏极区522b和栅极叠置体530的底部部分。由此，在部件500a中形成四个晶体管。在一些实施例中，串联形成第一和第二晶体管，并且串联形成第三和第四晶体管。部件500a的形成可以至少部分地类似于图1G和或4D的部件100g和或400d的形成，并因此，在本文中不进一步详细讨论。如关于图5A所讨论的，在部件500a中形成四个晶体管，其中串联形成第一和第二晶体管，并且串联形成第三和第四晶体管。例如，可以通过选择性地图案化和去除阻挡层508来配置各个晶体管之间的连接。例如，图5B示出了根据一些实施例的包括具有静电阻挡层508的鳍状物506的部件500b，静电阻挡层508具有开口，其中在鳍状物506上形成四个串联连接的晶体管。图5B的部件500b至少部分地类似于图5A的部件500a。然而，与部件500a不同，在部件500b中，阻挡层508可以不完全包围鳍状物506。例如，在区域540中可以不存在阻挡层，其中区域540使用虚线椭圆形标识。在一些实施例中，可以不在区域540中形成阻挡层。在一些其他实施例中，阻挡层508可以最初形成在区域540中，然后通过蚀刻或其他适当的方式将其图案化并选择性地去除。在一些实施例中，除了或代替阻挡层508不存在于区域540中之外，可以适当地掺杂区域540以在漏极区522a与源极区520b之间生成导电路径。例如，可以使用离子注入、添加固定电荷等来执行这种掺杂例如，类似于阻挡层508的形成。可以使用适当的极性执行掺杂，使得掺杂有助于漏极区522a与源极区520b之间的传导。在一些实施例中，区域540中的这种阻挡层508的不存在和或区域540中的这种掺杂有助于在漏极区522a与源极区520b之间形成导电路径，从而将上述四个晶体管串联连接。各种实施例具有许多技术优点。例如，传统系统允许仅使用鳍状物的最顶部部分形成晶体管。然而，在本文中所讨论的各种实施例中，鳍状物中的垂直隔离例如，由静电阻挡层提供允许在同一鳍状物的顶上和下方都引入器件。这允许在同一鳍状物上形成叠置器件。在一些实施例中，叠置的器件也可以互连，例如通过图案化静电阻挡层和或通过适当地掺杂鳍状物。从各种实施例和附图中可以明显看出其他技术效果。图6示出了描绘根据一些实施例的用于形成具有带静电阻挡层的鳍状物的器件的方法600的流程图，其中在鳍状物上的静电阻挡层上方形成第一晶体管，并且在鳍状物上的静电阻挡层下方形成第二晶体管。尽管以特定顺序示出了参考图6的流程图中的方框，但是可以修改动作的顺序。由此，所示实施例可以以不同的顺序执行，并且一些动作方框可以并行执行。根据某些实施例，图6中列出的一些方框和或操作可以是可选的。所呈现的方框的编号是为了清楚起见，并不旨在规定其中各个方框必须发生的操作的顺序。在604处，可以在衬底例如，衬底102上形成鳍状物例如，鳍状物106。在608处，可以在鳍状物上形成阻挡层例如，阻挡层108。可以使用关于图2A-2C或图3A-3E1讨论的操作来形成阻挡层。阻挡层可以将鳍状物分为顶部部分和底部部分。在612处，可以在鳍状物上形成栅极叠置体例如，栅极叠置体128、428、530或532中的一个。栅极叠置体可以包括顶部部分、底部部分、以及栅极叠置体的顶部部分与底部部分之间的绝缘层。栅极叠置体可以通过正面操作例如，如关于图1C-1G所讨论的或经由背面显露工艺例如，如关于图1C-1F和4A-4D所讨论的形成。在616处，可以选择性地掺杂鳍状物以在鳍状物的顶部部分上形成第一晶体管，并且在鳍状物的底部部分上形成第二晶体管。图7示出了根据一些实施例的计算机系统、计算设备或SoC片上系统2100，其中计算设备2100的一个或多个部件包括具有静电阻挡层的鳍状物，其中在鳍状物上的静电阻挡层上方形成第一晶体管，并且在鳍状物上的静电阻挡层下方形成第二晶体管。需要指出的是，图7中与任何其他附图中的元件具有相同附图标记或名称的那些元件可以以与所描述的类似的任何方式操作或起作用，但不限于此。在一些实施例中，计算设备2100表示适当的计算设备，例如计算平板电脑、移动电话或智能电话、膝上型电脑、台式电脑、IOT设备、服务器、机顶盒、具有无线能力的电子阅读器等。应当理解，大致示出了某些部件，并且并非在计算设备2100中示出了这种设备的所有部件。在一些实施例中，计算设备2100包括第一处理器2110。本公开的各种实施例还可以包括2170内的网络接口，例如无线接口，使得系统实施例可以并入到无线设备中，例如，手机或个人数字助理。在一个实施例中，处理器2110可以包括一个或多个物理设备，例如微处理器、应用处理器、微控制器、可编程逻辑设备或其他处理装置。处理器2110执行的处理操作包括执行应用程序和或设备功能的操作平台或操作系统的执行。处理操作包括与人类用户或与其他设备的IO输入输出相关的操作、与电源管理相关的操作、和或与将计算设备2100连接到另一设备相关的操作。处理操作还可以包括与音频IO和或显示IO相关的操作。在一个实施例中，计算设备2100包括音频子系统2120，其表示与向计算设备提供音频功能相关联的硬件例如，音频硬件和音频电路和软件例如，驱动器、编码解码器部件。音频功能可以包括扬声器和或耳机输出、以及麦克风输入。用于这种功能的设备可以集成到设备2100中，或者连接到计算设备2100。在一个实施例中，用户通过提供由处理器2110接收并处理的音频命令来与计算设备2100交互。显示子系统2130表示提供视觉和或触觉显示以用于用户与计算设备2100交互的硬件例如，显示设备和软件例如，驱动器部件。显示子系统2130包括显示接口2132，其包括用于向用户提供显示的特定屏幕或硬件设备。在一个实施例中，显示接口2132包括与处理器2110分离的逻辑，用以执行与显示相关的至少一些处理。在一个实施例中，显示子系统2130包括触摸屏或触控板设备，其提供到用户的输出和输入。IO控制器2140表示与和用户的交互相关的硬件设备和软件部件。IO控制器2140可操作用于管理作为音频子系统2120和或显示子系统2130的部分的硬件。另外，IO控制器2140示出了连接点，用于连接到设备2100的额外设备，用户可以通过其与系统交互。例如，可以附接到计算设备2100的设备可以包括麦克风设备、扬声器或立体声系统、视频系统或其他显示设备、键盘或小键盘设备、或者其他IO设备，用于与诸如读卡器或其他设备的特定应用一起使用。如上所述，IO控制器2140可以与音频子系统2120和或显示子系统2130交互。例如，通过麦克风或其他音频设备的输入可以提供输入或命令，用于计算设备2100的一个或多个应用或功能。另外，代替或除了显示输出，可以提供音频输出。在另一个示例中，如果显示子系统2130包括触摸屏，显示设备还充当输入设备，其可以至少部分地由IO控制器2140管理。在计算设备2100上也可以有另外的按钮或开关，以提供由IO控制器2140管理的IO功能。在一个实施例中，IO控制器2140管理设备，例如加速度计、相机、光传感器或其他环境传感器、或者可以包括在计算设备2100中的其他硬件。输入可以是部分直接用户交互，以及向系统提供环境输入，以影响其操作例如滤除噪声、针对亮度检测调整显示、为相机应用闪光灯、或其他特征。在一个实施例中，计算设备2100包括电源管理2150，其管理电池电量的使用、电池的充电、以及与省电操作有关的特征。存储器子系统2160包括存储器设备，用于在设备2100中存储信息。存储器可以包括非易失性如果存储器设备的电源中断，状态不改变和或易失性如果存储器设备的电源中断，状态不确定存储器设备。存储器子系统2160可以存储应用数据、用户数据、音乐、照片、文档、或其他数据、以及与计算设备2100的应用和功能的执行有关的系统数据无论是长期的还是暂时的。在一个实施例中，计算设备2100包括时钟生成子系统2152以生成时钟信号。实施例的单元也可以作为用于存储计算机可执行指令例如，用于实施本文所述的任何其他处理的指令的机器可读介质例如，存储器2160来提供。机器可读介质例如，存储器2160可以包括但不限于，闪速存储器、光盘、CD-ROM、DVDROM、RAM、EPROM、EEPROM、磁或光卡、相变存储器PCM、或者适合于存储电子或计算机可执行指令的其他类型的机器可读介质。例如，本公开的实施例可以作为计算机程序例如，BIOS下载，其可以通过数据信号经由通信链路例如，调制解调器或网络连接从远程计算机例如，服务器传送到请求计算机例如，客户机。连接2170包括硬件设备例如，无线和或有线连接器和通信硬件和软件部件例如，驱动器、协议栈，以使得计算设备2100能够与外部设备通信。计算设备2100可以是分离的设备，例如其他计算设备、无线接入点或基站，以及外围设备，例如耳机、打印机或其他设备。连接2170可以包括多个不同类型的连接。概括而言，计算设备2100被示为具有蜂窝连接2172和无线连接2174。蜂窝连接2172通常是指由无线载波提供的蜂窝网络连接，例如经由GSM全球移动通信系统或其变型或其派生物、CDMA码分多址或其变型或其派生物、TDM时分复用或其变型或其派生物、或者其他蜂窝服务标准提供的。无线连接或无线接口2174是指不是蜂窝的无线连接，并且可以包括个域网例如，蓝牙、近场等、局域网例如，Wi-Fi和或广域网例如，WiMax、或其他无线通信。外设连接2180包括硬件接口和连接器、以及用于进行外设连接的软件部件例如，驱动器、协议栈。应理解，计算设备2100可以是至其他计算设备的外围设备“至”2182，以及具有连接到其的外围设备“自”2184。计算设备2100通常具有“对接”连接器以连接到其他计算设备，用于诸如管理例如，下载和或上传、改变、同步计算设备2100上的内容的目的。另外，对接连接器可以允许计算设备2100连接到特定外设，其允许计算设备2100控制例如至视听或其他系统的内容输出。除了专有的对接连接器或其他专有连接硬件，计算设备2100可以经由常用或基于标准的连接器进行外设连接2180。常用类型可以包括通用串行总线USB连接器其可以包括若干不同硬件接口中的任何一种、包括MiniDisplayPortMDP的DisplayPort、高清晰度多媒体接口HDMI、火线或其他类型。在一些实施例中，计算设备2100的一个或多个部件例如，处理器2110、存储器子系统2160中的存储器等包括具有带有形成在其上的静电阻挡层的鳍状物的至少一个部件，其中静电阻挡层将鳍状物分成顶部部分和底部部分。第一晶体管形成在鳍状物的顶部部分上，并且第二晶体管形成在鳍状物的底部部分上。例如，部件可以是部件100g、400d、500a和或500b中的一个。可以使用在本公开中本文所述的各种操作来形成部件。说明书中对“实施例”、“一个实施例”、“一些实施例”或“其他实施例”的提及表示结合实施例描述的特定特征、结构或特性包括在至少一些实施例中，但不一定是所有实施例。“实施例”、“一个实施例”或“一些实施例”的多次出现不一定全都是指相同的实施例。如果说明书表述部件、特征、结构或特性“可以”、“也许”或“能够”被包括，那么该特定部件、特征、结构或特性不必需被包括。如果说明书或权利要求提及“一”或“一个”元件，这并不表示仅有一个元件。如果说明书或权利要求书提及“一个额外的”元件，这并不排除存在多于一个该额外的元件。此外，特定特征、结构、功能或特性可以在一个或多个实施例中以任何适当的方式组合。例如，第一实施例可以与第二实施例组合，只要与两个实施例相关联的特定特征、结构、功能或特性不相互排斥。尽管已经结合其具体实施例描述了本公开，但根据前面的描述，这种实施例的许多替代、修改和变化对于本领域技术人员而言是显而易见的。本公开的实施例旨在包含落入所附权利要求书的宽泛范围内的所有这种替代、修改和变化。另外，为了简化图示和论述，在所呈现的附图内可以或可以不显示至集成电路IC芯片或其他部件的公知的电源接地连接，以免使本公开难以理解。此外，可以以方框图的形式显示装置，以便避免使本公开难以理解，并且考虑到以下事实：关于这种方框图装置的实施的细节与要在其内实施本公开的平台极为相关即，这种细节应完全在本领域技术人员的知识范围内。在阐述了具体细节例如，电路以便描述本公开的示例性实施例的情况下，对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以无需这些具体细节或者借助这些具体细节的变化可以实践本公开。本说明因而应视为是说明性的而非是限制性的。以下示例条款属于进一步的实施例。示例条款中的细节可以在一个或多个实施例中的任意处使用。也可以相对于方法或过程实施本文所述装置的所有可选的特征。条款1、一种装置，包括：鳍状物；形成在鳍状物上的层，所述层将鳍状物分为第一部分和第二部分；形成在鳍状物的第一部分上的第一器件；以及形成在鳍状物的第二部分上的第二器件。条款2、如条款1所述的装置，其中：所述层形成在鳍状物的中央区域上；并且所述层包括铝Al、硅Si、氧O或氮N中的一种，或者其化合物。条款3、如条款1所述的装置，其中所述层包括沿着鳍状物的中央区域的掺杂剂。条款4、如条款3所述的装置，其中掺杂剂包括以下之一：硼B、磷P、其化合物、硼硅酸盐玻璃BSG或磷硅酸盐玻璃PSG。条款5、如条款1-4中任一项所述的装置，其中：所述层具有开口；并且第一器件将通过所述层中的开口耦合到第二器件。条款6、如条款5所述的装置，其中：所述层包括鳍状物上的第一掺杂剂；并且所述层中的开口包括鳍状物上的第二掺杂剂，其中第一掺杂剂不同于第二掺杂剂。条款7、如条款1-6中任一项所述的装置，还包括：设置在鳍状物上的栅极叠置体，其中栅极叠置体的第一部分是第一器件的第一栅极区，并且其中栅极叠置体的第二部分是第二器件的第二栅极区。条款8、如条款7所述的装置，还包括：分离栅极叠置体的第一部分和栅极叠置体的第二部分的区域，其中所述区域包括绝缘材料。条款9、如条款8所述的装置，其中所述绝缘材料包括以下之一：氮化硅、氧化铝、碳化硅、氧化硅。条款10、如条款7-9中任一项所述的装置，其中栅极叠置体是第一栅极叠置体，并且其中所述装置还包括：设置在鳍状物上的第二栅极叠置体，其中第二栅极叠置体的第一部分是形成在鳍状物上的第三器件的第三栅极区，并且其中第二栅极叠置体的第二部分是形成在鳍状物上的第四器件的第四栅极区。条款11、如条款1-5和7-10中任一项所述的装置，其中：鳍状物的第一区域包括第一掺杂剂，鳍状物的第一区域是第一器件的第一源极区；鳍状物的第二区域包括第二掺杂剂，鳍状物的第二区域是第一器件的第一漏极区；鳍状物的第三区域包括第三掺杂剂，鳍状物的第三区域是第二器件的第二源极区；鳍状物的第四区域包括第四掺杂剂，鳍状物的第四区域是第二器件的第二漏极区。条款12、一种方法，包括：在衬底上形成鳍状物；在鳍状物上形成层，所述层将鳍状物分为第一部分和第二部分；选择性地掺杂鳍状物的第一部分以在鳍状物的第一部分上形成第一一个或多个晶体管；并且选择性地掺杂鳍状物的第二部分以在鳍状物的第二部分上形成第二一个或多个晶体管。条款13、如条款12所述的方法，其中形成所述层包括：沿着鳍状物的中央区域沉积包含固定电荷的电介质层以形成所述层。条款14、如条款12所述的方法，其中形成所述层包括：通过沿着鳍状物的中央区域的离子注入形成所述层。条款15、如条款12所述的方法，其中形成所述层包括：沿着鳍状物的中央区域沉积包含掺杂的膜；并且执行热退火工艺以将掺杂从膜扩散到鳍状物的中央区域，从而形成所述层。条款16、如条款15所述的方法，其中所述膜包括以下之一：硼B、磷P、硅Si、其化合物、硼硅酸盐玻璃BSG或磷硅酸盐玻璃PSG。条款17、如条款12-16中任一项所述的方法，还包括：图案化所述层以在所述层中形成开口，其中第一一个或多个晶体管中的一个通过所述层中的开口耦合到第二一个或多个晶体管中的一个。条款18、如条款17所述的方法，还包括：在开口的区域中掺杂鳍状物以促进第一一个或多个晶体管中的一个与第二一个或多个晶体管中的一个之间的耦合。条款19、如条款12-18中任一项所述的方法，还包括：在鳍状物上形成栅极叠置体，其中栅极叠置体的第一部分是鳍状物的第一部分上的第一晶体管的第一栅极区，并且其中栅极叠置体的第二部分是鳍状物的第二部分上的第二晶体管的第二栅极区。条款20、如条款19所述的方法，还包括：形成用于将栅极叠置体的第一部分与栅极叠置体的第二部分电绝缘的区域。条款21、如条款19-20中任一项所述的方法，其中栅极叠置体是第一栅极叠置体，并且其中所述方法还包括：在鳍状物上形成第二栅极叠置体，其中第二栅极叠置体的第一部分是形成在鳍状物的第一部分上的第三晶体管的第三栅极区，并且其中第二栅极叠置体的第二部分是形成在鳍状物的第二部分上的第四晶体管的第四栅极区。条款22、如条款19-21中任一项所述的方法，其中在鳍状物上形成栅极叠置体包括：在鳍状物上形成牺牲栅极结构；用栅极叠置体的第一部分替换牺牲栅极结构的第一部分；并且用栅极叠置体的第二部分替换牺牲栅极结构的第二部分。条款23、如条款22所述的方法，其中用栅极叠置体的第二部分替换牺牲栅极结构的第二部分包括：用密封剂包封鳍状物和牺牲栅极结构，其中在衬底上形成密封剂、鳍状物和牺牲栅极结构；经由背面显露工艺去除衬底以通过密封剂暴露牺牲栅极结构的第二部分的底表面；选择性地蚀刻牺牲栅极结构的所暴露的第二部分以在密封剂内形成沟槽；以及在沟槽内形成栅极叠置体的第二部分。条款24、一种系统，包括：用于存储指令的存储器；耦合到存储器的处理器；以及耦合到处理器的无线接口，所述无线接口用于无线传送和接收信号，其中存储器或处理器之一包括：形成在鳍状物的第一部分上的第一晶体管，以及形成在鳍状物的第二部分上的第二晶体管。条款25、如条款24所述的系统，还包括：形成在鳍状物上的层，所述层分隔鳍状物的第一部分和第二部分。条款26、如条款25所述的系统，其中：所述层具有开口；并且第一晶体管通过所述层中的开口电耦合到第二晶体管。条款27、如条款25-26中任一项所述的系统，其中所述层用于至少部分地将第一晶体管与第二晶体管隔离。条款28、一种装置，包括：鳍状物；形成在鳍状物上的静电阻挡层，所述静电阻挡层将鳍状物分为顶部部分和底部部分；形成在鳍状物顶部部分上的第一晶体管；以及形成在鳍状物的底部部分上的第二晶体管。条款29、如条款28所述的装置，其中静电阻挡层包括沿着鳍状物的中央区域沉积的固定电荷。条款30、如条款28所述的装置，其中通过沿着鳍状物的中央区域的离子注入形成静电阻挡层。条款31、如条款28-30中任一项所述的装置，其中：静电阻挡层具有开口；并且第一晶体管通过静电阻挡层中的开口电耦合到第二晶体管。条款32、如条款31所述的装置，其中：掺杂开口的区域中的鳍状物以促进第一晶体管与第二晶体管之间的电耦合。条款33、如条款28-32中任一项所述的装置，还包括：设置在鳍状物上的栅极叠置体，其中栅极叠置体的顶部部分是第一晶体管的第一栅极区，并且其中栅极叠置体的底部部分是第二晶体管的第二栅极区。条款34、一种方法，包括：在衬底上形成鳍状物；在鳍状物上形成阻挡层，阻挡层将鳍状物分为顶部部分和底部部分；在鳍状物的顶部部分上形成栅极叠置体的第一部分；以及在鳍状物的底部部分上形成栅极叠置体的第二部分。条款35、如条款34所述的方法，还包括：在栅极叠置体的第一部分与栅极叠置体的第二部分之间形成绝缘层。条款36、如条款34-35中任一项所述的方法，还包括：在鳍状物的顶部部分上形成第一晶体管，栅极叠置体的第一部分用作第一晶体管的栅极区；以及在鳍状物的底部部分上形成第二晶体管，栅极叠置体的第二部分用作第二晶体管的栅极区。条款37、一种装置，包括：用于在衬底上形成鳍状物的模块；用于在鳍状物上形成层的模块，所述层将鳍状物分为第一部分和第二部分；用于选择性地掺杂鳍状物的第一部分以在鳍状物的第一部分上形成第一一个或多个晶体管的模块；以及用于选择性地掺杂鳍状物的第二部分以在鳍状物的第二部分上形成第二一个或多个晶体管的模块。条款38、如条款37所述的装置，其中用于形成所述层的模块包括：用于沿着鳍状物的中央区域沉积包含固定电荷的电介质层以形成所述层的模块。条款39、如条款37所述的装置，其中用于形成所述层的模块包括：用于通过沿着鳍状物的中央区域的离子注入形成所述层的模块。条款40、如条款37所述的装置，其中用于形成所述层的模块包括：用于沿着鳍状物的中央区域沉积包含掺杂的膜的模块；以及用于执行热退火工艺以将掺杂从所述膜扩散到鳍状物的中央区域从而形成所述层的模块。条款41、如条款40所述的装置，其中所述膜包括以下之一：硼B、磷P、硅Si、其化合物、硼硅酸盐玻璃BSG或磷硅酸盐玻璃PSG。条款42、如条款37-41中任一项所述的装置，还包括：用于图案化所述层以在所述层中形成开口的模块，其中第一一个或多个晶体管中的一个通过所述层中的开口耦合到第二一个或多个晶体管中的一个。条款43、如条款42所述的装置，还包括：用于在开口的区域中掺杂鳍状物以促进第一一个或多个晶体管中的一个与第二一个或多个晶体管中的一个之间的耦合的模块。条款44、如条款37-43中任一项所述的装置，还包括：用于在鳍状物上形成栅极叠置体的模块；以及用于其中栅极叠置体的第一部分是鳍状物的第一部分上的第一晶体管的第一栅极区，并且其中栅极叠置体的第二部分是鳍状物的第二部分上的第二晶体管的第二栅极区的模块。条款45、如条款44所述的装置，还包括：用于形成区域的模块，所述区域用于将栅极叠置体的第一部分与栅极叠置体的第二部分电绝缘。条款46、如条款44-45中任一项所述的装置，其中栅极叠置体是第一栅极叠置体，并且其中所述装置还包括：用于在鳍状物上形成第二栅极叠置体的模块，其中第二栅极叠置体的第一部分是形成在鳍状物的第一部分上的第三晶体管的第三栅极区，并且其中第二栅极叠置体的第二部分是形成在鳍状物的第二部分上的第四晶体管的第四栅极区。条款47、如条款44-46中任一项所述的方法，其中用于在鳍状物上形成栅极叠置体的模块包括：用于在鳍状物上形成牺牲栅极结构的模块；用于用栅极叠置体的第一部分替换牺牲栅极结构的第一部分的模块；以及用于用栅极叠置体的第二部分替换牺牲栅极结构的第二部分的模块。条款48、如条款47所述的装置，其中用于用栅极叠置体的第二部分替换牺牲栅极结构的第二部分的模块包括：用于用密封剂包封鳍状物和牺牲栅极结构的模块，其中在衬底上形成密封剂、鳍状物和牺牲栅极结构；用于经由背面显露工艺去除衬底以通过密封剂暴露牺牲栅极结构的第二部分的底表面的模块；用于选择性地蚀刻牺牲栅极结构的所暴露的第二部分以在密封剂内形成沟槽的模块；依据用于在沟槽内形成栅极叠置体的第二部分的模块。提供了摘要，其将允许读者确定本技术公开的本质和要旨。依据摘要不用于限制权利要求书的范围或含义的理解而提交摘要。所附权利要求书据此包含在具体实施方式中，每一个权利要求独自作为单独的实施例。

权利要求：1.一种装置，包括：鳍状物；形成在所述鳍状物上的层，所述层将所述鳍状物分为第一部分和第二部分；形成在所述鳍状物的所述第一部分上的第一器件；以及形成在所述鳍状物的所述第二部分上的第二器件。2.根据权利要求1所述的装置，其中：所述层形成在所述鳍状物的中央区域上；并且所述层包括铝Al、硅Si、氧O或氮N中的一种，或者其化合物。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述层包括沿着所述鳍状物的中央区域的掺杂剂。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述掺杂剂包括以下之一：硼B、磷P、其化合物、硼硅酸盐玻璃BSG或磷硅酸盐玻璃PSG。5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中：所述层具有开口；并且所述第一器件将通过所述层中的所述开口耦合到所述第二器件。6.根据权利要求5所述的装置，其中：所述层包括在所述鳍状物上的第一掺杂剂；并且所述层中的所述开口包括所述鳍状物上的第二掺杂剂，其中，所述第一掺杂剂不同于所述第二掺杂剂。7.根据权利要求1-6中任一项所述的装置，还包括：设置在所述鳍状物上的栅极叠置体，其中，所述栅极叠置体的第一部分是所述第一器件的第一栅极区，并且其中，所述栅极叠置体的第二部分是所述第二器件的第二栅极区。8.根据权利要求7所述的装置，还包括：分离所述栅极叠置体的所述第一部分和所述栅极叠置体的所述第二部分的区域，其中，所述区域包括绝缘材料。9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述绝缘材料包括以下之一：氮化硅、氧化铝、碳化硅、氧化硅。10.根据权利要求7-9中任一项所述的装置，其中，所述栅极叠置体是第一栅极叠置体，并且其中，所述装置还包括：设置在所述鳍状物上的第二栅极叠置体，其中，所述第二栅极叠置体的第一部分是形成在所述鳍状物上的第三器件的第三栅极区，并且其中，所述第二栅极叠置体的第二部分是形成在所述鳍状物上的第四器件的第四栅极区。11.根据权利要求1-5和7-10中任一项所述的装置，其中：所述鳍状物的第一区域包括第一掺杂剂，所述鳍状物的所述第一区域是所述第一器件的第一源极区；所述鳍状物的第二区域包括第二掺杂剂，所述鳍状物的所述第二区域是所述第一器件的第一漏极区；所述鳍状物的第三区域包括第三掺杂物，所述鳍状物的所述第三区域是所述第二器件的第二源极区；并且所述鳍状物的第四区域包括第四掺杂剂，所述鳍状物的所述第四区域是所述第二器件的第二漏极区。12.一种方法，包括：在衬底上形成鳍状物；在所述鳍状物上形成层，所述层将所述鳍状物分为第一部分和第二部分；选择性地掺杂所述鳍状物的所述第一部分以在所述鳍状物的所述第一部分上形成第一一个或多个晶体管；以及选择性地掺杂所述鳍状物的所述第二部分以在所述鳍状物的所述第二部分上形成第二一个或多个晶体管。13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述层包括：沿着所述鳍状物的中央区域沉积包含固定电荷的电介质层以形成所述层。14.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述层包括：通过沿着所述鳍状物的中央区域的离子注入形成所述层。15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述层包括：沿着所述鳍状物的中央区域沉积包含掺杂的膜；以及执行热退火工艺以将所述掺杂从所述膜扩散到所述鳍状物的所述中央区域，从而形成所述层。16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述膜包括以下之一：硼B、磷P、硅Si、其化合物、硼硅酸盐玻璃BSG或磷硅酸盐玻璃PSG。17.根据权利要求12-16中任一项所述的方法，还包括：图案化所述层以在所述层中形成开口，其中，所述第一一个或多个晶体管中的一个通过所述层中的所述开口耦合到所述第二一个或多个晶体管中的一个。18.根据权利要求17所述的方法，还包括：在所述开口的所述区域中掺杂所述鳍状物以促进所述第一一个或多个晶体管中的一个与所述第二一个或多个晶体管中的一个之间的耦合。19.根据权利要求12-18中任一项所述的方法，还包括：在所述鳍状物上形成栅极叠置体，其中，所述栅极叠置体的第一部分是所述鳍状物的所述第一部分上的第一晶体管的第一栅极区，并且其中，所述栅极叠置体的第二部分是所述鳍状物的所述第二部分上的第二晶体管的第二栅极区。20.根据权利要求19所述的方法，还包括：形成用于将所述栅极叠置体的所述第一部分与所述栅极叠置体的所述第二部分电绝缘的区域。21.根据权利要求19-20中任一项所述的方法，其中，所述栅极叠置体是第一栅极叠置体，并且其中，所述方法还包括：在所述鳍状物上形成第二栅极叠置体，其中，所述第二栅极叠置体的第一部分是形成在所述鳍状物的所述第一部分上的第三晶体管的第三栅极区，并且其中，所述第二栅极叠置体的第二部分是形成在所述鳍状物的所述第二部分上的第四晶体管的第四栅极区。22.根据权利要求19-21中任一项所述的方法，其中，在所述鳍状物上形成栅极叠置体包括：在所述鳍状物上形成牺牲栅极结构；用所述栅极叠置体的所述第一部分替换所述牺牲栅极结构的第一部分；以及用所述栅极叠置体的所述第二部分替换所述牺牲栅极结构的第二部分。23.根据权利要求22所述的方法，其中，用所述栅极叠置体的所述第二部分替换所述牺牲栅极结构的所述第二部分包括：用密封剂包封所述鳍状物和所述牺牲栅极结构，其中，在所述衬底上形成所述密封剂、所述鳍状物和所述牺牲栅极结构；经由背面显露工艺去除所述衬底以通过所述密封剂暴露所述牺牲栅极结构的所述第二部分的底表面；选择性地蚀刻所述牺牲栅极结构的所暴露的第二部分以在所述密封剂内形成沟槽；以及在所述沟槽内形成所述栅极叠置体的所述第二部分。24.一种系统，包括：用于存储指令的存储器；耦合到所述存储器的处理器；以及耦合到所述处理器的无线接口，所述无线接口用于无线传送和接收信号，其中，所述存储器或所述处理器之一包括：形成在鳍状物的第一部分上的第一晶体管，以及形成在所述鳍状物的第二部分上的第二晶体管。25.根据权利要求24所述的系统，还包括：形成在所述鳍状物上的层，所述层分隔所述鳍状物的所述第一部分和所述第二部分。26.根据权利要求25所述的系统，其中：所述层具有开口；并且所述第一晶体管将通过所述层中的所述开口电耦合到所述第二晶体管。27.根据权利要求25-26中任一项所述的系统，其中，所述层用于至少部分地将所述第一晶体管与所述第二晶体管隔离。

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