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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请公开了半导体器件中的应力衬里。公开了一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括衬底、被设置在衬底上的纳米结构沟道区域、围绕纳米结构沟道区域的栅极结构、与纳米结构沟道区域相邻设置的源极漏极SD区域、被设置在SD区域上的蚀刻停止层ESL、被设置在蚀刻停止层上并且被配置为在纳米结构沟道区域中提供压缩应力的应力衬里、被设置在应力衬里上的层间电介质ILD层以及被设置在SD区域、ESL、应力衬里和ILD层中的接触结构。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；纳米结构沟道区域，设置在所述衬底上；栅极结构，围绕所述纳米结构沟道区域；源极漏极SD区域，与所述纳米结构沟道区域相邻设置；蚀刻停止层ESL，设置在所述SD区域上；应力衬里，设置在所述蚀刻停止层上，并且被配置为在所述纳米结构沟道区域中提供压缩应力；层间电介质ILD层，设置在所述应力衬里上；以及接触结构，设置在所述SD区域、所述ESL、所述应力衬里和所述ILD层中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件中的应力衬里
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