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申请/专利权人：苏州立琻半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED垂直芯片结构及其制备方法，通过在第二掺杂类型半导体层被刻蚀的区域内形成与第二掺杂类型半导体层不同掺杂类型或者不同掺杂浓度的限制层，在被刻蚀的侧壁之间形成空间电荷区，以此控制电流流动路径，使其绕开被刻蚀的侧壁，大幅减少因刻蚀损伤引入的非辐射复合中心和漏电流，同时也不会引入其他不利于器件性能的问题。
主权项：1.一种Micro-LED垂直芯片结构，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构包括第一掺杂类型半导体层、第二掺杂类型半导体层，以及设置在第一掺杂类型半导体层、第二掺杂类型半导体层之间的有源层，所述第二掺杂类型半导体层背离所述有源层的一侧经刻蚀形成有位于中部的台面结构；所述外延结构还包括限制层，所述限制层通过外延生长方式形成在所述台面结构的周侧且与所述台面结构相接触，所述限制层具有第二掺杂类型或第一掺杂类型或不具有掺杂类型；第二电极，电连接所述第二掺杂类型半导体层；第二电极形成在所述台面结构的表面；所述Micro-LED垂直芯片结构还包括绝缘层，所述绝缘层至少形成于所述限制层背离所述有源层的一侧表面且自该表面沿所述限制层的侧面延伸至所述有源层的侧面，所述第二电极与所述限制层之间通过所述绝缘层电隔离；所述限制层的材料为半导体材料，其由第III族元素Ga、In、Al中的任一种和第V族元素N、As、P中任一种组成，所述限制层与所述第二掺杂类型半导体层之间形成有空间电荷区，所述空间电荷区能控制电流流动路径，使电流绕开台面结构的侧面；其中，当所述限制层具有第二掺杂类型时，所述限制层的掺杂浓度小于与其接触的所述第二掺杂类型半导体层的掺杂浓度；当限制层含有Al时，Al含量小于0.5%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州立琻半导体有限公司 Micro-LED垂直芯片结构及其制备方法
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