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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种外延片光致发光特性的测试方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：加热外延片至预设温度；利用目标激光光束激励外延片产生光信号；用探测器探测并记录光信号；以及基于光信号，判断外延片的光致发光特性。通过直接测试光致发光光谱来判断外延片在不同温度下的光致发光质量，避免了复杂的工艺验证。本发明还提供了一种外延片光致发光特性的测试装置。
主权项：1.一种外延片光致发光特性的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：加热外延片至预设温度；利用目标激光光束激励所述外延片产生光信号；用探测器探测并记录所述光信号；以及基于所述光信号，判断所述外延片的光致发光特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 外延片光致发光特性的测试方法和测试装置
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