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申请/专利权人：蔚来汽车科技(安徽)有限公司
摘要：本申请涉及一种晶体管装置10，其包括由碳化硅制成的主体12、延伸到主体12中的两个栅极沟槽14A、14B。每个栅极沟槽14A、14B具有底板部段20和分别具有下部部分26和上部部分28的侧壁部段22A、22B。晶体管装置10还包括覆盖底板部段20和侧壁部段22A、22B的介电材料层32。介电材料层32的厚度减小部段36设置在第一栅极沟槽的的侧壁部段上，该侧壁部段朝向栅极沟槽14A、14B中与第一栅极沟槽相邻的第二栅极沟槽布置。厚度减小部段36沿着第一栅极沟槽的侧壁部段的上部部分28延伸。本申请还涉及一种制造晶体管装置10的方法。
主权项：1.一种沟槽栅极型场效应晶体管装置10，包括：至少一个主体12，至少部分地由碳化硅制成；至少两个栅极沟槽14A、14B，至少部分地延伸到所述主体12中并且构造成至少部分地容置至少部分地由导电材料制成的至少一个电极16，每个栅极沟槽14A、14B具有至少一个底板部段20和至少两个侧壁部段22A、22B，每个侧壁部段22A、22B具有从所述底板部段20延伸的下部部分26和从所述下部部分26延伸的上部部分28；以及至少一个介电材料层32，覆盖所述栅极沟槽14A、14B中的每一个的所述底板部段20和所述侧壁部段22A、22B，其中，所述介电材料层32沿着所述底板部段20和所述侧壁部段22A、22B的所述下部部分26的厚度t大于沿着所述栅极沟槽14A、14B的至少第一栅极沟槽的至少一个厚度减小部段36的厚度t，其中，所述厚度减小部段36设置在所述第一栅极沟槽的所述侧壁部段22A、22B中的一个侧壁部段上，所述一个侧壁部段朝向所述栅极沟槽14A、14B中的与所述第一栅极沟槽相邻的第二栅极沟槽布置，并且其中，所述厚度减小部段36沿着所述第一栅极沟槽的所述侧壁部段的所述上部部分28延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 蔚来汽车科技(安徽)有限公司 沟槽栅型场效应晶体管装置及制造方法
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