龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明的实施例公开了半导体晶体管器件及其形成方法。半导体晶体管器件包括沟道结构、栅极结构、第一源极漏极外延结构、第二源极漏极外延结构、栅极接触件和背面源极漏极接触件。栅极结构环绕沟道结构。第一源极漏极外延结构和第二源极漏极外延结构设置在沟道结构的相对端上。栅极接触件设置在栅极结构上。背面源极漏极接触件设置在第一源极漏极外延结构下方。第二源极漏极外延结构具有凹进的底面。
主权项：1.一种半导体晶体管器件，包括：沟道结构；栅极结构，环绕所述沟道结构；第一源极漏极外延结构和第二源极漏极外延结构，设置在所述沟道结构的相对端上，所述第二源极漏极外延结构具有凹形底面；背面源极漏极接触件，设置在所述第一源极漏极外延结构下方；以及背面介电帽，设置在所述第二源极漏极外延结构下方并且在所述栅极结构下方延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体晶体管器件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号