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晶体管器件 

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申请/专利权人:英飞凌科技奥地利有限公司

摘要:公开了一种晶体管器件。晶体管器件在半导体本体(100)中包括漂移区(11)、本体区(12)和通过本体区(12)与漂移区(11)分离并连接到源极节点(S)的源极区(13);栅电极(21),通过栅极电介质(22)与本体区(12)介电绝缘;以及场电极结构(3)。场电极结构包括连接到源极节点(S)并通过第一场电极电介质(33)与漂移区(11)介电绝缘的第一场电极(31);通过第二场电极电介质(33)与漂移区(11)介电绝缘的第二场电极(32);以及耦合电路(4),连接在第二场电极(32)和源极节点(S)之间,并且被配置成根据源极节点(S)和第二场电极(32)之间的电压将第二场电极(32)连接到源极节点(S)。

主权项:1.一种晶体管器件,其包括:在半导体本体中,漂移区、本体区和通过本体区与漂移区分离并连接到源极节点的源极区;栅电极,通过栅极电介质与本体区介电绝缘;以及场电极结构,其包括:第一场电极,连接到源极节点并通过第一场电极电介质与漂移区介电绝缘;第二场电极,通过第二场电极电介质与漂移区介电绝缘;以及耦合电路,被配置为根据源极节点和第二场电极之间的电压将第二场电极电连接到源极节点,其中,耦合电路被配置为当源极节点和第二场电极之间的电压超过耦合电路的电压阈值时将第二场电极电连接到源极节点,其中,晶体管器件具有电压阻断能力,其中,耦合电路的电压阈值在耦合电路的电压阻断能力的5%和20%之间和或耦合电路的电压阈值在在5V和15V之间。

全文数据:

权利要求:

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