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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的、或单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备第一导电型的半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面并且包括体施主，所述半导体基板具有：第一导电型的漂移区，其设置在上表面与下表面之间；以及第二导电型的基区，其设置在所述上表面与所述漂移区之间，所述半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从所述下表面到所述上表面为止单调地减小，所述漂移区的施主浓度遍及所述半导体基板的深度方向上的整个漂移区而高于体施主浓度，遍及所述漂移区的整个深度方向，所述施主浓度是平坦的、或单调地增加或单调地减小，遍及所述漂移区的整个深度方向，所述氢化学浓度从所述下表面侧朝向所述上表面侧单调地减少。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
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